摘要
在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。
High rate depositions of hydrogenated amorphous silicon (α-Si:H) thin films with a photosensitivity more than 10~5 have been fabricated at a deposition rate more than 1.0 nm/s by controlling the technological conditions of r. f. glow discharge decomposition of pure SiH_4 in a plasma chemical vapor deposition(PCVD) system.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1992年第5期280-283,共4页
Journal of Functional Materials
