GaAs半导体薄膜电沉积的研究 被引量：1

1

作者 杨春晖 徐吾生 +4 位作者 韩岩 杨兆明 韩爱珍 叶水驰 高元凯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期110-113,共4页

利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分更接近化学计量比 1∶ 1,各次试验数值分散性小 ,厚薄均匀。

关键词 GaAs薄膜 电沉积 添加剂 半导体薄膜

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多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究 被引量：1

2

作者 高元恺 韩爱珍 +1 位作者 赵永春 林逸青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期670-673,共4页

利用扫描电子显微镜、Ｘ－射线衍射仪，分光光度计和Ｃ－Ｖ测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试．结果表明薄膜的成分接近化学计量的ＧａＡｓ．根据薄膜的光吸收曲线和Ｍｏｔｔ－Ｓｃｈｏｔｔｋｙ曲线计算了带隙值和能级位... 利用扫描电子显微镜、Ｘ－射线衍射仪，分光光度计和Ｃ－Ｖ测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试．结果表明薄膜的成分接近化学计量的ＧａＡｓ．根据薄膜的光吸收曲线和Ｍｏｔｔ－Ｓｃｈｏｔｔｋｙ曲线计算了带隙值和能级位置．最后，测量了薄膜／电解液结的光电特性． 展开更多

关键词 多晶 砷化镓 薄膜 制备 性能

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影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究 被引量：1

3

作者 赖占平 齐德格 +3 位作者 高瑞良 杜庚娜 刘晏凤 刘建宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期176-179,共4页

高度PLmapping均匀的SI GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底。本工作对影响SI GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究。发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PLmapping均匀... 高度PLmapping均匀的SI GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底。本工作对影响SI GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究。发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PLmapping均匀性都有一定的影响 ;而晶体的AB EPD和抛光工艺对PLmapping均匀性影响更大 ,AB EPD与热处理工艺有关。对实验现象进行了解释。 展开更多

关键词 砷化镓 单晶 均匀性 抛光片 缺陷 衬底 集成电路

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在硅衬底上直接生长Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的进展 被引量：2

4

作者 何兴仁 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期45-50,共6页

本文介绍目前国外直接在 Si(100)衬底上异质外延生长以 GaAs 为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料和器件的进展。

关键词 硅衬底 晶体生长 半导体器件

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GaAs/AlGaAs量子阱中的Г-X混和及谐振态和非限定态的研究 被引量：1

5

作者 薛舫时 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第11期805-811,共7页

本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs量于阱中的Г-X混和现象.介绍了Г态、X态和能级高于势垒的谐振态的特点.给出了谐振态能级随势阱和势垒层宽变化的关系.阐述了超薄层量子阱和非限定态的一些有趣的特性.在此基础上提出了一个超晶... 本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs量于阱中的Г-X混和现象.介绍了Г态、X态和能级高于势垒的谐振态的特点.给出了谐振态能级随势阱和势垒层宽变化的关系.阐述了超薄层量子阱和非限定态的一些有趣的特性.在此基础上提出了一个超晶格能带的形成模型并对最新的一些实验结果给出了恰当的解释. 展开更多

关键词 GAAS ALGAAS 量子阱 谐振态

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经软X射线辐照的InP的表面损伤态

6

作者 刘昶时 靳涛 +1 位作者 武光明 杨祖慎 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期139-142,共4页

采用Ｘ光激发光电子能谱（ＸＰＳ）对经同步辐射软Ｘ光辐照的ＩｎＰ表面进行了分析。实验结果表明：ＩｎＰ表面辐照损伤与辐照Ｘ光的能量及剂量有关，尤其是具有近Ｐ原子Ｋ壳层共振吸收能量的软Ｘ光辐照与其它Ｘ射线辐照相比，其结果有... 采用Ｘ光激发光电子能谱（ＸＰＳ）对经同步辐射软Ｘ光辐照的ＩｎＰ表面进行了分析。实验结果表明：ＩｎＰ表面辐照损伤与辐照Ｘ光的能量及剂量有关，尤其是具有近Ｐ原子Ｋ壳层共振吸收能量的软Ｘ光辐照与其它Ｘ射线辐照相比，其结果有所不同。文中就实验结果的机制进行了初步探讨。 展开更多

关键词 软X射线 辐照损伤 磷化钼 表面损伤态

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GaAs晶体缺陷与外延层缺陷显示研究

7

作者 梁秀红 鞠玉林 姜卫红 《河北工业大学成人教育学院学报》 2000年第1期32-33,45,共3页

Ga As衬底与外延层质量 ,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能 ,而超声 AB腐蚀法是一种能准确快速的显示 Ga As体缺陷与器件外延层缺陷的检测法。本文提供了超声 AB腐蚀法显示 Ga As体缺陷与外延层缺陷的实例照... Ga As衬底与外延层质量 ,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能 ,而超声 AB腐蚀法是一种能准确快速的显示 Ga As体缺陷与器件外延层缺陷的检测法。本文提供了超声 AB腐蚀法显示 Ga As体缺陷与外延层缺陷的实例照片与工艺条件 ,并对其进行了分类 。 展开更多

关键词 外延层缺陷 检测方法 超声AB腐蚀法 砷化镓晶体 半导体材料 晶体缺陷

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氧离子束轰击后的InP表面形貌实验研究

8

作者 孙兆奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第4期434-437,共4页

用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ ）和扫描隧道显微镜（ Ｓ Ｔ Ｍ ）对遭受斜入射 Ｏ＋２ 离子束轰击的 Ｉｎ Ｐ表面形貌变化进行了研究。结果表明：波纹状的表面形貌从０４μｍ 的溅射深度开始形成。在溅射深度为０４μｍ ～２０μｍ... 用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ ）和扫描隧道显微镜（ Ｓ Ｔ Ｍ ）对遭受斜入射 Ｏ＋２ 离子束轰击的 Ｉｎ Ｐ表面形貌变化进行了研究。结果表明：波纹状的表面形貌从０４μｍ 的溅射深度开始形成。在溅射深度为０４μｍ ～２０μｍ 范围，波纹状表面形貌的波长以及无序性均随溅射深度的增加而增加．波长与溅射深度有关而与溅射速率无关。研究结果证实由 Ｏ＋２ 离子束轰击导致的 Ｉｎ Ｐ表面波纹形貌能够通过在轰击期间旋转样品得到有效抑制。 展开更多

关键词 离子束轰击 表面形貌 磷化铟 SEM STM

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Ⅲ-Ⅴ族化合物的电化学C-V测量

9

作者 罗江财 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期19-25,共7页

本文概述了常规耗尽层 C-V 分布中,可达深度和深度分辨率的基本限制。特别讨论了电化学 C-V 分布的实际技术和应用。列举了 PN4200自动描绘的Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP 多层异质结构的载流子浓度分布曲线,并分析了液相外... 本文概述了常规耗尽层 C-V 分布中,可达深度和深度分辨率的基本限制。特别讨论了电化学 C-V 分布的实际技术和应用。列举了 PN4200自动描绘的Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP 多层异质结构的载流子浓度分布曲线,并分析了液相外延生长中 Zn 掺杂的特性。同时,还分析了测量精确度和深度分辨之间的关系,并考虑了电解液、接触面积、串联电阻和深态的影响。最后,叙述了电化学 C-V 技术在测量光电压谱和量子阱结构方面的应用。 展开更多

关键词 Ⅲ-Ⅴ族化合物 电化学 测量 半导体

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分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究 被引量：3

10

作者 阎春辉 郑海群 +5 位作者 范缇文 孔梅影 曾一平 黄运衡 朱世荣 孙殿照 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期665-669,共5页

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合... 本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层． 展开更多

关键词 分子束外延 半导体材料 砷化镓 界面失配 GAASSB

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低磁场中掺锗GaAs晶体的生长 被引量：1

11

作者 康俊勇 黄启圣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第4期315-319,共5页

在４０００Ｇｓ的磁场和无磁场下用液体封止直拉法（ＬＥＣ）生长各种不同高掺锗浓度的ＧａＡｓ体单晶。用ＡＢ液和ＫＯＨ液腐蚀所生长的晶体，分别观察磁场中生长晶体的腐蚀条纹和腐蚀坑变化。通过电子探针微区分析和霍尔效应法探测锗... 在４０００Ｇｓ的磁场和无磁场下用液体封止直拉法（ＬＥＣ）生长各种不同高掺锗浓度的ＧａＡｓ体单晶。用ＡＢ液和ＫＯＨ液腐蚀所生长的晶体，分别观察磁场中生长晶体的腐蚀条纹和腐蚀坑变化。通过电子探针微区分析和霍尔效应法探测锗杂质及其相关施主和受主浓度的变化。通过高光学效率的光致发光及高空间分辨率像谱技术，对不同掺锗浓度样品中点缺陷发光带进行分析。研究表明，磁场下生长的掺锗ＧａＡｓ晶体中，微缺陷和深能级点缺陷的浓度低，而且它们的分布均匀性得到了明显改善。 展开更多

关键词 半导体 晶体生长 掺杂 缺陷 砷化镓

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重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究

12

作者 徐谨民 邵丽影 吴敏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期955-959,共5页

本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω_1与ω_2之和与ω_p间的函数关系.并应用此关系对不同载流子浓度的重掺Ⅲ-Ⅴ族化... 本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω_1与ω_2之和与ω_p间的函数关系.并应用此关系对不同载流子浓度的重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs和Inp样品进行实验上的验证,获得了满意的结果. 展开更多

关键词 Ⅲ-Ⅴ族化物 半导体 载流子 浓度

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VAD制备TiN膜中宏观颗粒生长特性分析 被引量：3

13

作者 王浩 《微细加工技术》 1995年第4期38-42,共5页

通过对真空电弧淀积（ＶＡＤ）的ＴｉＮ薄膜中单个宏观颗粒（直径大于５μｍ）进行ＳＥＭ观察，分析了颗粒自身形貌及其与连续薄膜之间的相互作用。并基于界面能量理论，分析了颗粒在薄膜生长过程中自身发展倾向、与外来粒子的相互碰撞... 通过对真空电弧淀积（ＶＡＤ）的ＴｉＮ薄膜中单个宏观颗粒（直径大于５μｍ）进行ＳＥＭ观察，分析了颗粒自身形貌及其与连续薄膜之间的相互作用。并基于界面能量理论，分析了颗粒在薄膜生长过程中自身发展倾向、与外来粒子的相互碰撞以及与基片、连续膜之间的界面作用，从而揭示出薄膜中颗粒的生长规律。 展开更多

关键词 氮化钛薄膜 薄膜生长 VAD

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氧在GaAs／GaInP／AlGaInP中的SIMS分析

14

作者 陈春华 王佐祥 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期116-120,共5页

用ＳＩＭＳ对用于可见光激光器研制的ＧａＡｓ／ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ材料系统进行了测试分析。适当选择质量特征峰，不仅清晰地展示出这种材料系统的结构，而且对非有意掺入的有害杂质氧进行监测，及时发现了工艺系统中的气和源... 用ＳＩＭＳ对用于可见光激光器研制的ＧａＡｓ／ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ材料系统进行了测试分析。适当选择质量特征峰，不仅清晰地展示出这种材料系统的结构，而且对非有意掺入的有害杂质氧进行监测，及时发现了工艺系统中的气和源的质量问题。对在不同实验条件下制备的多批样品的ＳＩＭＳ分析表明，氧含量的判别在一个数量级以上，氧含量的高低直接影响激光器的性能指标和寿命。为改进工艺和源的质量提供了可靠的依据。 展开更多

关键词 SIMS分析 砷化镓 结构材料 氧含量 镓铟磷

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GaP材料热导率的测量

15

作者 陈显锋 董绵豫 +2 位作者 丁祖昌 郭圆圆 张淑仪 《光学技术》 CAS CSCD 1997年第6期40-42,共3页

针对目前用于半导体材料掺杂浓度纵向深度分布测量用的方法，如Ｃ－Ｖ法、电化学法等方法对样品造成的损伤或污染，本文提出一种非接触式的光热法测量技术。并结合室温下光热法测得的实验数据计算了ＧａＰ∶Ｎ多层材料中不同杂质浓度下... 针对目前用于半导体材料掺杂浓度纵向深度分布测量用的方法，如Ｃ－Ｖ法、电化学法等方法对样品造成的损伤或污染，本文提出一种非接触式的光热法测量技术。并结合室温下光热法测得的实验数据计算了ＧａＰ∶Ｎ多层材料中不同杂质浓度下的热导率，获得热导率随半导体内掺入的杂质浓度增加而减小的关系。这一结果与现有用光热法测量单层结构的半导体材料得到的规律相符合，从而表明了用光热法对层状半导体材料进行掺杂浓度纵向分布测量的可行性；同时还讨论半导体内临近层间结晶程度的差异对光热信号幅度造成的影响。 展开更多

关键词 半导体材料 光热方法 热导率 磷化镓

原文传递

非平面InP液相外延生长的理论与实验

16

作者 李洵 陈根祥 简水生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期93-100,共8页

本文对用液相外延技术制作半导体激光器时所遇到的非平面ＩｎＰ固－液相界及在不同平面上满足不同的界面反应速度情况做了严格的理论分析，它可以对实际非平面ＩｎＰ生长所遇到的各种情况给出准确的解释．此外，对理论结果进行了数值模... 本文对用液相外延技术制作半导体激光器时所遇到的非平面ＩｎＰ固－液相界及在不同平面上满足不同的界面反应速度情况做了严格的理论分析，它可以对实际非平面ＩｎＰ生长所遇到的各种情况给出准确的解释．此外，对理论结果进行了数值模拟计算，对界面反应速度作适当拟合之后，得到了与实验一致的结果，从而验证了理论的正确性，可以其作为实际非平面ＩｎＰ液相外延生长时工艺设计与参数选择的依据． 展开更多

关键词 磷化铟 外延生长 液相外延 半导体激光器

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二次离子质谱术探讨低温分子束磊晶成长之原始及掺杂有？…

17

作者 麦富德 苏子昂 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期10-10,共1页

利用分子束磊晶（ＭＢＥ）物方法在低温成长掺杂杂质Ｂｅ的ＧａＡｓ化合物半导体，Ｂｅ将促使Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出的机制，在２３０℃成长掺杂杂质Ｂｅ之... 利用分子束磊晶（ＭＢＥ）物方法在低温成长掺杂杂质Ｂｅ的ＧａＡｓ化合物半导体，Ｂｅ将促使Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出的机制，在２３０℃成长掺杂杂质Ｂｅ之ＧａＡｓ层不与含Ｂｅ之ＧａＡｓ层各３０ｎｍ，如此循环１５个周期，并在类似条件下，将掺杂杂质Ｂｅ之ＧａＡｓ层与不含Ｂｅ与ＧａＡｓ层以厚度分别为３０，４０，５０，６０。 展开更多

关键词 超晶格 分子束磊晶 SIMS 点矩阵 砷化镓 砷沉淀

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大尺寸、高质量磷化铟单晶的生长与特性

18

作者 E.M.Monlerg 郑松龄 《半导体情报》 1989年第2期55-59,共5页

对垂直梯度凝固法(VGF)和液封直拉法(LCE)生长的InP单晶片进行了研究,并作了全面质量比较。用来表征缺陷结构的方法有:1)腐蚀法揭示位错。2)透射X射线形貌术(TXRT)。3)透射阴极荧光(TCL)。经腐蚀处理后,发现VGF衬底从边缘到中心观察不... 对垂直梯度凝固法(VGF)和液封直拉法(LCE)生长的InP单晶片进行了研究,并作了全面质量比较。用来表征缺陷结构的方法有:1)腐蚀法揭示位错。2)透射X射线形貌术(TXRT)。3)透射阴极荧光(TCL)。经腐蚀处理后,发现VGF衬底从边缘到中心观察不到滑移,EPD低(<100/cm^2)而且均匀。其低的缺陷密度与在2×10^(17)～3×10^(1(?))/cm^3范围内S的掺杂浓度无关,而是因为生长过程中降低了径向和轴向温度梯度。与此相反,掺Sn和掺Fe的LEC材料中EPD全都超过10~4/cm^2水平。对于重掺S的LEC材料(>4×10^(18)/cm^3),在片子的周界处有相当多的滑移和位错。VGF材料的TXRT研究表明,它有大面积的无位错区(≥10cm^2)。相反,LEC材料甚至在低EPD区也有位错团。TXRT和TCL能揭示由于掺杂剂不均匀地进、晶体而产生的生长条纹。在LEC材料中,生长条纹有强烈的凹曲面,这表明生长界面不是平坦的,而且由于掺杂剂进入晶体有很大的波动,因此生长条纹有明显的对比度。发现VGF生长条纹是平坦的且其对比度很弱。 展开更多

关键词 半导体材料 磷化铟 单晶 特性 生长

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Au/GaP接触体系界面特性的XPS分析 被引量：2

19

作者 林秀华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期2018-2024,共7页

利用Ｘ射线光电子能谱研究了Ａｕ／ＧａＰ接触体系界面结构，组分随着热处理温度的变化．实验结果表明，即使在室温下金属和半导体原子间的扩散与迁移也会发生．Ａｕ／ＧａＰ接触退火时导致界面上ＧａＰ的分解并伴随着原子间快速扩散．... 利用Ｘ射线光电子能谱研究了Ａｕ／ＧａＰ接触体系界面结构，组分随着热处理温度的变化．实验结果表明，即使在室温下金属和半导体原子间的扩散与迁移也会发生．Ａｕ／ＧａＰ接触退火时导致界面上ＧａＰ的分解并伴随着原子间快速扩散．当热处理温度升高，ＡｕＧａ原子界面反应增强，从而生成复相结构ＡｕＧａ金属间化合物．如Ｇａ２Ａｕ，ＧａＡｕ等．Ａｕ／ＧａＰ接触的界面是一个含有金、半导体原子的合金再生长层．从金属学的观点对界面的特性进行了讨论． 展开更多

关键词 金/磷化镓 接触体系 半导体 界面结构 XPS

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