二次离子质谱术探讨低温分子束磊晶成长之原始及掺杂有？…

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摘要利用分子束磊晶（ＭＢＥ）物方法在低温成长掺杂杂质Ｂｅ的ＧａＡｓ化合物半导体，Ｂｅ将促使Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出的机制，在２３０℃成长掺杂杂质Ｂｅ之ＧａＡｓ层不与含Ｂｅ之ＧａＡｓ层各３０ｎｍ，如此循环１５个周期，并在类似条件下，将掺杂杂质Ｂｅ之ＧａＡｓ层与不含Ｂｅ与ＧａＡｓ层以厚度分别为３０，４０，５０，６０。

作者麦富德苏子昂

机构地区清华大学化学系交通大学电子物理所

出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期10-10,共1页 Vacuum Science and Technology

关键词超晶格分子束磊晶 SIMS 点矩阵砷化镓砷沉淀

分类号 TN304.230 [电子电信—物理电子学] O657.99 [理学—分析化学]

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