氧在GaAs／GaInP／AlGaInP中的SIMS分析

下载PDF

导出

摘要用ＳＩＭＳ对用于可见光激光器研制的ＧａＡｓ／ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ材料系统进行了测试分析。适当选择质量特征峰，不仅清晰地展示出这种材料系统的结构，而且对非有意掺入的有害杂质氧进行监测，及时发现了工艺系统中的气和源的质量问题。对在不同实验条件下制备的多批样品的ＳＩＭＳ分析表明，氧含量的判别在一个数量级以上，氧含量的高低直接影响激光器的性能指标和寿命。为改进工艺和源的质量提供了可靠的依据。

作者陈春华王佐祥

机构地区中国科学院表面物理国家重点实验室中国科学院半导体研究所

出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期116-120,共5页 Vacuum Science and Technology

关键词 SIMS分析砷化镓结构材料氧含量镓铟磷

分类号 TN304.230 [电子电信—物理电子学] O657.99 [理学—分析化学]

引文网络
相关文献

参考文献5

1熊飞克,郭良,马骁宇,王树堂,陈良惠.高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器[J].Journal of Semiconductors,1997,18(6):424-430. 被引量：4
2Endo K, Fujii K K,Ueno Y. Appl Phys Lett, 1994；64( 2 ):146.
3Dorr U, Schuarz W,Womer A et al.J Appl Phys, 1998；83(4):2241.
4Wilson R G,Stevie F A, Magee C W. Secondary lon Mass Spectrometry. Now York:Wiley, 1989.
5Gauneau M,Chaphin R,Rupert A et al. Nucl Instra and Meth, 1992 ；B64:614.

共引文献3

1徐云,曹青,孙永伟,叶晓军,侯识华,郭良,陈良惠.High-Power and High-Efficiency 650nm-Band AlGaInP Visible Laser Diodes Fabricated by Ion Beam Etching[J].Journal of Semiconductors,2004,25(9):1079-1083.
2李述体,范广涵,周天明,郑树文,王浩,郭志友,孙慧卿.掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响[J].Journal of Semiconductors,2005,26(6):1159-1163.
3徐云,郭良,曹青,宋国峰,甘巧强,杨国华,李玉璋,陈良惠.大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器[J].Journal of Semiconductors,2005,26(11):2213-2217. 被引量：1

1杨得全,张韶红.直流反应磁控溅射法沉积TiN薄膜的SAM／SIMS分析[J].薄膜科学与技术,1990,3(3):42-47.
2王建峰,张纪才,张宝顺,伍墨,王玉田,杨辉,梁骏吾.Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性[J].Journal of Semiconductors,2005,26(z1):109-112.
3Chu.,PK.AeGaInN半导体的分析[J].真空科学与技术,1998,18(A12):87-91.
4曾健,高剑侠.SIMOX材料注F^+后的SIMS分析[J].半导体技术,1999,24(5):34-35. 被引量：1
5高瑛,赵家龙,刘学彦,苏锡安,梁家昌,李景,关兴国,章其麟.MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系[J].光学学报,1992,12(10):897-901. 被引量：2
6焦智贤,蔡克理,王全树,潘静.高电流截止频率GaInP/GaAs HBT[J].电子器件,1997,20(1):20-23.
7可见光固体激光器的新进展[J].激光与光电子学进展,1999,36(3):11-15. 被引量：3
8相干.新型单频连续可见光激光器Genesis MX SLM[J].军民两用技术与产品,2012(8):38-38.
9二级管泵浦激光器将逐步达到预期要求[J].光电子信息快报,1998(9):1-5.
10二极管泵浦可见光激光器的各种应用[J].激光与光电子学进展,1998,35(12):37-39. 被引量：1

真空科学与技术

1998年第A12期

浏览历史

内容加载中请稍等...

氧在GaAs／GaInP／AlGaInP中的SIMS分析

参考文献5

共引文献3

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史