摘要
离子注入通过荷能离子轰击实现材料性能的精确调控,是现代半导体集成电路制造的必需工艺。目前主流的半导体离子注入,都是通过离子注入机将离子束产生、纯化、加速后注入半导体材料,形成预期的掺杂分布并调节电学等物理性质。在超过半个世纪的工程和生产实践中,包含离子源、加速器、束流分析与束流控制等核心部件构成的离子注入机,已发展成为一套完备的装备系统,并历经实验室研究、产业化应用及规模化发展等阶段,持续推动集成电路制造工艺的进步。通过聚焦于半导体集成电路制造,可以更深入地研究和优化离子注入技术,以满足日益复杂的芯片制造需求。未来离子注入技术将朝着高精度与智能化的方向发展,在量子计算与新能源材料等领域展现广阔应用前景,同时需要克服工艺稳定性、设备成本与关键部件国产化等挑战,实现技术创新突破。
出处
《中国集成电路》
2025年第8期20-23,44,共5页
China lntegrated Circuit
