ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究被引量：2

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摘要对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了低温、快速率、大流量的新的技术方法。

作者刘玉岭蔡冰祁刘立威

机构地区河北工业大学洛阳单晶硅厂

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期27-28,共2页 Semiconductor Technology

关键词 ULSI 化学机械抛光集成电路二氧化硅

分类号 TN470.52 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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