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镶嵌钨的化学机械抛光的研究 被引量:2

The CMP Study of Inlaid Tungsten
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摘要 研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。 The selectivity, the chemical and mechanical function's matching, the storage of the slurry and post CMP cleaning ULSI inlaid tungsten CMP have been studied in this article.
出处 《半导体杂志》 2000年第4期40-45,50,共7页
基金 国家自然科学重大基金资助项目!( 698762 60 )
关键词 ULSI 化学机械抛光 集成电路 ULSI CMP Global planarization Post CMP cleaning Tungsten
  • 相关文献

参考文献1

  • 1夏海良.半导体器件制造工艺[M].上海科学技术出版社,1985..

共引文献1

同被引文献6

引证文献2

二级引证文献7

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