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氮化硅薄膜的微结构
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摘要
利用ＴＥＭ，ＳＴＭ和ＰＤＳ显微光度计研究了ＥＣＲＰＥＣＶＤ技术制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的微结构．结果表明：在较低沉积温度下，ＥＣＲＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜是一种纳米αＳｉ３Ｎ４薄膜，其晶粒粒度在１４—２９ｎｍ间，而且这种薄膜具有较好的表面平整度．
作者
陈俊芳
王卫乡
刘颂豪
任兆杏
机构地区
华南师范大学物理系
华南师范大学量子电子研究所
中国科学院等离子体物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第9期1529-1535,共7页
Acta Physica Sinica
基金
广东省自然科学基金
高教厅科研基金
中国博士后科学基金
关键词
TEM
STM
PDS
氮化硅
薄膜
微结构
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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