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p~-型多孔硅的拉曼光谱与结构特征 被引量:5

Raman Spectra and Structure Characteristics ofp Porous Silicon
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摘要 本文第一次在较宽的频率范围内研究了p-型多孔硅的拉曼光谱,观察到并试探性的指认了多孔硅的一级TA、LA和二级LA、TO声子峰;从上述拉曼谱和多孔硅结构关系的初步分析中了解到,p-型多孔硅在结构上是一种类似于纳米晶的硅材料. Abstract The Raman spectra of p-type porous silicon in a large range of frequencyhave been measured and several new peaks have been observed for the first time,which were assigned to the first order TA.LA and second order TA.TO phononmode.The relation between the above spectra and the structure characteristics ofp- porous silicon was preliminarily discussed.
机构地区 北京大学物理系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期248-254,共7页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
关键词 多孔硅 散射谱 结构 P-型多孔硅 Phonons Raman spectroscopy Semiconductor materials
  • 相关文献

参考文献3

  • 1张树霖,Appl Phys Lett,1993年,62卷,642页
  • 2Tsai C,App Phys Lett,1992年,59卷,2814页
  • 3张树霖,J Appl Phys,1992年,72卷,9期,4469页

同被引文献69

引证文献5

二级引证文献14

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