UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究 被引量：6

1

作者 叶志镇 曹青 +6 位作者 张侃 陈伟华 汪雷 李先杭 赵炳辉 李剑光 卢焕明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期565-568,共4页

本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，在７８０℃下进行了硅低温外延，取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好。

关键词 UHV/CVD ULSI 外延生长 分子外延 硅

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电子回旋共振等离子体技术新进展 被引量：2

2

作者 恩云飞 杨银堂 孙青 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期425-434,共10页

叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ＥＣＲ技术进行了讨论。由于ＥＣＲ微波等离子体技术具有密度高、电离度大... 叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ＥＣＲ技术进行了讨论。由于ＥＣＲ微波等离子体技术具有密度高、电离度大、工作气压低、表面损伤小等特点，在反应离子刻蚀（ＲＩＥ）、等离子体化学气相淀积（ＣＶＤ）和溅射方面具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 VLSI

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相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟 被引量：5

3

作者 沈锋 冯伯儒 孙国良 《微细加工技术》 1995年第1期7-14,共8页

本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。

关键词 相移掩模 光刻 计算机模拟 VLSI 集成电路

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亚微米干法刻蚀技术的现状 被引量：3

4

作者 刘云峰 陈国平 《电子器件》 CAS 1998年第2期102-108,共7页

综述了亚微米、深亚微米干法刻蚀和相关技术的最新进展及其在超大规模集成电路制造中的应用。

关键词 干法刻蚀 微细加工 VLSI

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铝-RIE刻蚀工艺 被引量：7

5

作者 付玉霞 刘志弘 +2 位作者 刘荣华 仲涛 李希有 《半导体情报》 2000年第5期37-40,共4页

干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不太低的气压 (BCl3∶ C... 干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不太低的气压 (BCl3∶ Cl2 ∶ CHCl3∶ N2 =70 sccm∶ 1 5 sccm∶ 1 0 sccm∶ 0～ 5 0 sccm,2 0 0 m Torr,2 0 0 W)可以实现细线条 (0 .6μm) Al的刻蚀。 展开更多

关键词 刻蚀工艺 VLSI 集成电路 制造工艺

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大规模集成电路刻蚀过程和终点的在线监测──等离子发射光谱法 被引量：2

6

作者 米宝永 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1996年第3期75-80,共6页

文章叙述了大规模集成电路（ＬＳＩ）等离子和反应离子刻蚀原理及在线监测刻蚀过程的基本方法。详述了用等离子发射光谱法进行ＬＳＩ离子刻蚀过程监测的具体实施和实验结果，得到了８０Ａ的动态监测精度和０．３ｃｍ２的最小可监测面积... 文章叙述了大规模集成电路（ＬＳＩ）等离子和反应离子刻蚀原理及在线监测刻蚀过程的基本方法。详述了用等离子发射光谱法进行ＬＳＩ离子刻蚀过程监测的具体实施和实验结果，得到了８０Ａ的动态监测精度和０．３ｃｍ２的最小可监测面积。最后文章还讨论了影响监测精度的因素。 展开更多

关键词 等离子体 在线监测 刻蚀 大规模 集成电路

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等离子刻蚀过程中的微弱信号提取与终点监测

7

作者 米宝永 宋克非 《数据采集与处理》 CSCD 1998年第A10期55-58,共4页

在用等离子发射光谱技术监测大规模集成电路等离子刻蚀过程及科点时，为有效地抑制本底光对监测结果的影响，作者采用了双波长法和具有采样跟踪滤波器的锁相技术，从强光背景中提取了反映等离子刻蚀过程的微弱等离子谱信号。

关键词 集成电路 LSI 等离子刻蚀过程 微弱信号 监测

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国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势 被引量：1

8

作者 童志义 《电子工业专用设备》 1992年第1期13-25,共13页

本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM... 本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM时代的蚀刻技术的发展趋势。 展开更多

关键词 干法蚀刻 反应 离子蚀刻 磁控反应

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LSI版图曝光单元集的算法 被引量：1

9

作者 王绍钧 《微细加工技术》 1995年第1期1-6,共6页

本文给出划分一种ＬＳＩ版图设计图形为曝光单元集的一个算法。该算法可同时获正、反两种曝光单元集，为曝光方式的选择提供了灵活性。

关键词 算法 电子束曝光 集成电路 LSI 版图

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ULSI相移光刻技术 被引量：2

10

作者 王阳元 徐立 +1 位作者 武国英 俞忠钰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期77-83,共7页

相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。

关键词 光学光刻 相移 相移掩模 集成电路

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LSI离子刻蚀过程中的微弱信号提取及刻蚀过程的在线监测 被引量：1

11

作者 刘杰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1994年第4期131-139,共9页

叙述了发射光谱法的终点监测原理，锁相放大技术在ＰＩＥ和ＲＩＥ工艺过程监测中的应用，并详尽地讨论了开关电容滤波器的原理，而且在电路设计中采用了跟踪开关电容滤波器的锁相放大器设计，从而提高了系统的动态范围，最后说明了该系... 叙述了发射光谱法的终点监测原理，锁相放大技术在ＰＩＥ和ＲＩＥ工艺过程监测中的应用，并详尽地讨论了开关电容滤波器的原理，而且在电路设计中采用了跟踪开关电容滤波器的锁相放大器设计，从而提高了系统的动态范围，最后说明了该系统用于实际生产线所获得监测结果。 展开更多

关键词 终点监测 锁相放大 大规模集成电路 离子刻蚀

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反应离子刻蚀用于实现VLSI的多晶侧壁LDD MOSFET工艺优化研究

12

作者 徐大林 王方 +2 位作者 李荫波 彭忠献 黄敞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期288-293,共6页

本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性、过腐蚀度、负载效应等与刻蚀条件(包括气体、气体组分、流... 本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性、过腐蚀度、负载效应等与刻蚀条件(包括气体、气体组分、流量、压力、射频功率、温度等)的关系.在此基础上,结合LDD MOSFET对侧壁宽度、可控性及重复性的要求,对反应离子刻蚀法实现PSSWS-LDD进行优化,获得了优化工艺条件. 展开更多

关键词 离子刻蚀 VLSI LDD MOSFET 工艺

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一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型

13

作者 冯向明 阮刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期55-62,共8页

本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入... 本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。 展开更多

关键词 VLSI 离子刻蚀 工艺模拟 模型

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深U型槽的反应离子刻蚀技术 被引量：2

14

作者 彭忠献 王方 +1 位作者 李荫波 黄敝 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第2期1-3,共3页

在VLSI 工艺中,U 型槽隔离方法很重要.本文报道了采用CF_4、SF_6、Ar、Cl_2、O_2、BCl_3、CHF_3等气体及其混合物进行的RIE(反应离子刻蚀)实验,发现Cl_2+Ar 最适用于深U 型槽的刻蚀,并成功地刻出了2μm 宽、6μm 深的U 型槽.

关键词 离子刻蚀 VLSI U型槽

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离子注入多晶硅的等离子腐蚀技术

15

作者 Pramod C.Karulkar 李秉忠 《微电子学》 CAS CSCD 1991年第1期69-74,共6页

用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_... 用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_2F_2-Ar导致尖锐的凹陷状豁口;而蚀剂SF_6-O_2-Ar则会造成条宽损耗,但不会产生豁口。本文提供了离子注入多晶硅的剖面样品,并对两种蚀剂产生不同剖面的可能机理进行讨论。通过在不同深度掺杂物浓和离子注入多晶硅的结构变化解释豁口。提出,腐蚀剂SP_6-O_2-Ar腐蚀产生的离子注入多晶硅,其剖面无豁口的原因是蚀剂SF_6-O_2-Ar中的氧和腐蚀表面的相互作用致使蚀剂对离子注入多晶硅中的杂质浓度不很敏感。本文提供了支持这种解释的简单实验的结果。 展开更多

关键词 多晶硅 离子注入 等离子腐蚀 VLSI

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VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积 被引量：1

16

作者 马永良 黄英 《电子器件》 CAS 1998年第2期113-117,共5页

介绍了大规模集成电路中两种ＣＶＤ二氧化硅膜的淀积，并对这两种二氧化硅膜的淀积方式及其性能进行了比较。指出ＴＥＯＳ淀积方式。

关键词 CVD TEOS 二氧化硅 VLSI

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抗蚀剂的干法显影技术研究

17

作者 管慧 《微细加工技术》 1993年第4期29-34,共6页

在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影(等离子体显影)已展示了实现的可能性。一方面开发了能够干显影的抗蚀剂,另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术方法和技术动向,也介... 在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影(等离子体显影)已展示了实现的可能性。一方面开发了能够干显影的抗蚀剂,另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术方法和技术动向,也介绍了我们所做的有关工作。 展开更多

关键词 抗蚀剂 干法显影 LSI 大规模 集成电路 电路图

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光刻胶对等离子腐蚀的影响

18

作者 L.Y.Tsou 黄子伦 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第3期65-68,共4页

为了揭示光刻胶在氯化物等离子体中所起的作用,研究了具有不同光刻胶敷层的多晶硅和二氧化硅的腐蚀特性。二氧化硅的腐蚀速率随片子上光刻胶的减少而下降。虽然多晶硅的额定腐蚀速率对光刻胶敷层不敏感,但是二氧化硅掩蔽的多晶硅图形的... 为了揭示光刻胶在氯化物等离子体中所起的作用,研究了具有不同光刻胶敷层的多晶硅和二氧化硅的腐蚀特性。二氧化硅的腐蚀速率随片子上光刻胶的减少而下降。虽然多晶硅的额定腐蚀速率对光刻胶敷层不敏感,但是二氧化硅掩蔽的多晶硅图形的腐蚀速率要比光刻胶掩蔽的高。推测由于光刻胶腐蚀产生的氯化碳物质是产生这些特性的原因。此外,我们发现,如果采用不受腐蚀的掩膜,那么在用氟化物等离子体腐蚀多晶硅时就有工种负载效应,但是光刻胶存在则抑制这种效应。 展开更多

关键词 VLSI 光刻胶 等离子腐蚀

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在磁控微波等离子体中蚀刻微细接触孔

19

作者 文允监 《等离子体应用技术快报》 1995年第10期3-4,共2页

关键词 集成电路 超大规模 微波 离子蚀刻 接触孔

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干法刻蚀工艺的优化和开发

20

作者 潘伟 唐健 贾云波 《江苏科技信息》 2013年第7期52-52,57,共2页

文章阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数。应用正交实验,优化了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案。

关键词 干法蚀刻 二氧化硅 工艺参数 刻蚀参数

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