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干法刻蚀工艺的优化和开发

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摘要文章阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数。应用正交实验,优化了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案。

作者潘伟唐健贾云波

机构地区江苏省江阴市新顺微电子有限公司

出处《江苏科技信息》 2013年第7期52-52,57,共2页 Jiangsu Science and Technology Information

关键词干法蚀刻二氧化硅工艺参数刻蚀参数

分类号 TN470.598 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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江苏科技信息

2013年第7期

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