VLSI的SOI技术评价

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摘要高性能、成本有效的SOI 技术在抗辐射电子学的短期应用和亚微米VLSI 的长期应用方面是重要的.本文概述了在这些应用方面,SOI 技术超过本体硅技术的各种优点.还讨论了SOI 的CMOS、CJFET 和双极器件结构.评述了束流再结晶和高剂量氧注入等最有希望的SOI 技术的现状和前景.并强调了材料质量和制造可靠性一类的问题.

作者 B-Y.Tsaur 石广元

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第3期47-48,F003,共3页 Microelectronics & Computer

关键词 VLSI SOI技术集成电路

分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学与计算机

1990年第3期

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