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ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Nb_2O_5系列压敏陶瓷的微观缺陷和电学性能研究 被引量：1

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摘要 研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%Nb2O5的ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低。当Nb2O5含量超过0.2mol%时,ZnO压敏陶瓷样品中的晶界缺陷增加,压敏电压升高。
作者 吕艳琼 罗洪梁 闫德霖 黄宇阳 邓文
机构地区 广西大学物理科学与工程技术学院
出处 《广西物理》 2011年第2期5-8,共4页 Guangxi Physics
基金 国家自然科学基金(10764001) 广西自然科学基金(桂科回0832003)
关键词 ZNO压敏陶瓷 Nb2O5掺杂 电学性能 正电子湮没
分类号 O474 [理学—半导体物理]
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参考文献22

二级参考文献17

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引证文献1

广西物理
2011年 第2期

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