光伏型锑化铟红外探测器零偏结阻抗结面积乘积的分析被引量：3

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摘要通过推导、求解光照情况下p^+ -n结的电流连续性方程,得出由扩散电流机制决定的零偏结阻抗结面积乘积,并考虑了耗尽区G-R电流、隧道电流机制对R_0A乘积的影响,分析了不同的InSb材料参数及工艺参数对Cd^+扩散光伏型InSb器件R_0A乘积的影响。最后将分析结果与实际结果进行了比较,对提高InSb光伏器件的性能有一定的理论指导意义。

作者周冠山

机构地区航空工业总公司第○一四中心

出处《航空兵器》 1999年第1期10-17,共8页 Aero Weaponry

关键词锑化铟红外探测器零偏结阻抗结面积乘积

分类号 TN215.01 [电子电信—物理电子学]

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