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光伏型锑化铟红外探测器量子效率的分析 被引量：2

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摘要 通过推导、求解光照情况下p^+ -n结的电流连续性方程,得出p^+区和n区量子效率的表达式,并考虑了p^+ -n结耗尽区对器件量子效率的影响,分析了不同的InSb材料参数及工艺参数对Cd^+扩散光伏型InSb器件量子效率的影响。分析结果表明:光伏型锑化铟红外探测器p^+ -n结的扩散结深、光敏面的表面反射系数是影响器件量子效率的主要因素。此项工作的开展对提高InSb光伏器件的性能有一定的理论指导意义。
作者 周冠山
机构地区 航空工业总公司第○一四中心
出处 《航空兵器》 1999年第3期13-17,共5页 Aero Weaponry
关键词 红外探测器 量子效率 锑化铟 光伏型
分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]
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二级参考文献2

共引文献2

同被引文献19

  • 1张国栋,孙维国,倪永平.Mg离子注入成结制备InSb光电二极管阵列研究[J].红外与激光工程,2005,34(1):19-22. 被引量：5
  • 2Treado, P Levin, I Lewis E. Indium antimonide focal plane array for near infrared imagingmicroscopy[J]. Applied Spectroscopy, 1994, 48(5): 607.
  • 3R.A. Stradling. Novel Narrow-gap Semiconductor Systems[C]//SPIE, 1990, 1361:630-640.
  • 4A. Hoffman, D. Randall. High-performance 256×256 InSb FPA for astronomy[C]//SPIE, 1991, 1540:297-302.
  • 5P. J. McNally. Ion implantation in InAs and InSb{M]. Radiat. Effects, 1970, (6): 149-153.
  • 6施敏.半导体器件物理与工艺(第二版)[M].苏州:苏州大学出版社,2006.439-465.
  • 7朱惜辰.p-n结光伏探测器的收集系数和最佳结深.红外技术,1978,1(1):39-39.
  • 8刘尚和,张国辉,来永春,等.离子注入原理与技术(第一版)[M].北京:北京出版社,1982:12-45.
  • 9Peyton B J,Dinardo A J,Kanischak G M,et al.High-sensitivity receiver for infrared laser communications[J].IEEE J.Quantum Electron,1972,8(2):252-263.
  • 10Koehler T,Mcnally P J.(Hg,Cd)Te photodiodes for commu-nication systems[J].Opt.Eng,1974,13:312.

引证文献2

二级引证文献8

航空兵器
1999年 第3期

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