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测量InSb器件PN结深度的有效方法——阳极氧化法 被引量：1

AN EFFECTIVE WAY TO MEASURE THE DEPTH OF PN JUNCTION IN InSb PARTS——POSITIVE POLE QXIDATION
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摘要 对如何利用“阳极氧化法”显示化合物半导体InSb(锑化铟 )PN结的剖面形貌进行了研究 ,该方法解决了InSb器件PN结深度的测量问题 ,可操作性强 。 This essay elaborates the principle and result of the dissection appearance of PN junction by making the use of positive pole oxidation to demonstrate compound semiconductor.The way has solved the measuring problem of the depth of PN junction InSb parts by combining theory with practice.It is easy to operate.In addition,it has certain realistic meanings to the implementation of semiconductor production technology.
作者 吴云天
机构地区 陕西科技大学计算机与信息工程学院
出处 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2003年第3期63-65,共3页 Journal of Shaanxi University of Science & Technology
关键词 阳极氧化法 测量 InSb器件 PN结深度 半导体器件 positive pole oxidation InSb PN junction
分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献2

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  • 2黄汉尧.半导体器件工艺原理[M].北京：国防工业出版社,1998.9.

共引文献1

同被引文献15

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  • 3高启安.特种半导体器件[M].北京：国防工业出版社,1996.6.
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引证文献1

二级引证文献3

陕西科技大学学报（自然科学版）
2003年 第3期

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