金刚石在C_60薄膜表面的成核研究

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摘要用扫描电子显微术(SEM)研究了微波等离子体CVD生长金刚石系统,金刚石在以C_(60)蒸发膜为抛光Si衬底中间层上的成核行为,实验证实金刚石成核于C_(60)蒸发膜表面,同时观察到成核分布的不均匀性即成核聚集现象,并对此进行了初步分析。金刚石在C_(60)薄膜表面的成核表现出取向生长的特征。

作者杨国伟袁放成刘大军何金田张兵临

机构地区湘潭大学现代物理研究所郑州大学物理系

出处《中国科学（A辑）》 CSCD 1997年第2期162-165,共4页 Science in China(Series A)

基金国家教委优秀年轻教师基金湖南省自然科学基金资助项目

关键词金刚石成核碳60 薄膜

参考文献4

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中国科学（A辑）

1997年第2期

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