交变电场辅助的微波CVD金刚石成核研究被引量：1

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摘要报道了一种新的适用于在绝缘衬底上生长金刚石薄膜的方法,利用在直流电压上叠加交流成分,作为微波等离子体的电场偏置,成功地在SiO_2衬底上首次实现了>10~8cm^(-2)的金刚石成核。实验结果表明,金刚石薄膜的成核密度与偏压中交流信号的频率和幅度以及直流信号的幅度存在密切的关系。

作者毛敏耀金晓峰王添平解健芳章熙康谭淞生王渭源庄志诚

出处《中国科学（A辑）》 CSCD 1995年第5期556-560,共5页 Science in China(Series A)

关键词微波等离子体金刚石薄膜成核预处理电场

同被引文献6

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中国科学（A辑）

1995年第5期

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