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深亚微米半导体器件制造的最新工艺及设备被引量：1

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摘要介绍了深亚微米（０３５／０２５／０１８μｍ）半导体器件制造的最新工艺及设备，包括新一代ＣＭＯＳ工艺、ＦＯＮＤ工艺、ＰＳＭ技术、电子束光刻工艺、Ｘ射线光刻工艺、Ｃｕ互连技术和圆片老化筛选工艺及设备。

作者翁寿松

机构地区中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂

出处《半导体杂志》 1997年第4期27-31,共5页

关键词深亚微米半导体器件设备制造工艺

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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半导体杂志

1997年第4期

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