台面型半导体器件制造的一种新方法
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1王榕,杨文言.聚焦离子束扫描电镜双束系统在材料研究中的应用[J].分析仪器,2014(1):114-118. 被引量：4
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2M．R．奥利弗,李国栋.半导体材料的化学-力学平面化[J].国外科技新书评介,2005(2):20-20.
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3张俊国.集成电路与半导体器件制造中的电子束曝光技术[J].微细加工技术,1993(1):1-8. 被引量：2
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4翁寿松.深亚微米半导体器件制造的最新工艺及设备[J].半导体杂志,1997,22(4):27-31. 被引量：1
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5陈晓敏.基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证[J].重庆邮电大学学报（自然科学版）,2011,23(3):320-322. 被引量：1
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6宾雪生.半导体器件制造中的碱腐蚀[J].半导体技术,1996,12(1):55-56. 被引量：1
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7俞诚,谈益民,王宏波.玻璃钝化与真空技术[J].微电子技术,1997,25(5):43-45.
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8张化福,祁康成,吴健.氮化硅薄膜的制备方法及主要应用[J].材料导报,2004,18(F10):298-300. 被引量：3
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9何英.用于半导体器件制造的可控工艺环境──“全封闭工厂”（适用于小批量生产）[J].电子展望与决策,1995(1):34-40.
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10陈超.固态源扩散——重要的半导体器件扩散工艺[J].经营管理者,2011(11X):361-361.
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