摘要
采用Cl2+Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺研究,分析了气体流量、气体混合比、反应室压力I、CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响.得到的最大蚀速率为194 nm/min,表面均方根粗糙度为1.237 nm,Cl/Si原子浓度比约为0.97%∶99.3%。
Single crystal 4H-silicon carbide（SiC） has been etched with inductively coupled plasma（ICP） in a Cl2 ＋ Ar gas mixture.The influence of process conditions, such as reaction gas flow, Ar/Cl2 ratio, pressure, and ICP power, on the etching rate and surface quality are discussed. Experimental results show that a maximum etching rate of about 194 nm/min can be obtained, the root mean square（RMS） of roughness and the C1/Si atom ratio on the etched surface are 1.237 nm and 0.97% ：99.3% ,respectively.
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期500-503,共4页
Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
基金
国家部委预研项目(No.513080302)
西安一应用材料创新基金项目(No.XA-AM-200502)
关键词
碳化硅
刻蚀
感应耦合等离子体
刻蚀速率
Silicon carbide
Etching
Inductively coupled plasma
Etching rate
