电子束反应蒸发SiO_2膜的残余应力

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摘要光学薄膜中的残余应力是一个影响现代仪器性能和可靠性的越来越重要的因素.过强的张应力或压应力会使膜层破裂和脱落.即使上述情况不发生,残余应力也会影响平面衬底的平面度,从而导致反射波面发生畸变.设薄膜是在温度T_2时制备的,在室温T_1时,其残余应力σ由两部分组成:(1)由在膜形成时所产生的内应力σ_i,和(2)由膜层和衬底的热胀系数不同所引起的应力σ_(th).所以,残余应力由下式给出:

作者缪同群

出处《光机电信息》 1996年第2期25-31,共7页 OME Information

关键词电子束反应蒸发二氧化硅膜残余应力

分类号 O484.2 [理学—固体物理]

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