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GexSi1-x/Si超晶格PIN波导探测器结构及性能参数 被引量:1

Structures and performance parameters of Ge x Si 1- x /Si superlattice PIN waveguide detectors
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摘要 从PIN波导探测器性能参数的定义出发,阐述了各参数之间的内在联系,说明量子效率与带宽、灵敏度等物理量之间的矛盾现象。通过对具体结构及参数的分析比较,说明结构与参数之间的影响方式以及GexSi1-x/Si超晶格波导探测器的特有性质。 According to the definition of the performance parameters of PIN waveguide detector,the interrelations of these parameters are described,and the contradictions between a quantum efficiency and a bandwidth,sensivity,etc are explained.An influence of the structure on the parameters and the inherent properties of Ge x Si 1- x /Si superlattice waveguide detectors are mentioned through analysing and comparing practical structures and parameters.And the advantage of the waveguide detectors is further demonstrated.
机构地区 西安交通大学
出处 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期238-242,共5页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 半导体器件 波导 光电探测器 量子效率 Semiconductor Devices,Waveguide,Photodetectors,Quantum Efficiency,Bandwidth
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参考文献1

  • 1金锋,集成光学.下,1981年

同被引文献8

引证文献1

二级引证文献3

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