同被引文献2
-
1Zhou J W,J Vac Sci Technol A,1988年,6卷,6期,3103页
-
2Tsai H C,J Vac Sci Technol A,1987年,5卷,3287页
-
1王维洁,王天民,韩培刚,罗崇泰,黄良甫,刘定权.双束溅射淀积DLC膜的结构表征和性能分析[J].材料科学进展,1992,6(4):315-319.
-
2叶志镇.Si薄膜的直流磁控溅射淀积及其性能研究[J].激光与红外,1989,19(5):52-55.
-
3马瑾,余旭浒,计峰,王玉恒,张锡健,程传福,马洪磊.真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2005,34(7):1166-1168. 被引量:7
-
4王燕丽.四靶双离子束溅射镀膜机[J].薄膜科学与技术,1993,6(2):170-171.
-
5常大定.硒化锌薄膜的射频溅射淀积[J].红外技术,1990,12(1):37-39.
-
6汪洪海,郑启光,魏学勤,丘军林.反应式脉冲激光溅射淀积AlN薄膜化学稳定性研究[J].激光杂志,1998,19(6):28-31. 被引量:7
-
7成珏飞,吴雪梅,诸葛兰剑.双离子束溅射制备SiN_x薄膜的光致发光性质[J].微细加工技术,2004(2):51-54.
-
8李兴教,刘建设.射频溅射淀积PZT铁电薄膜及其结构分析[J].华中理工大学学报,1996,24(A01):118-120.
-
9孙硕,胥超,冯煜东,肖剑,张福甲.PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究[J].光电子.激光,2007,18(5):529-532. 被引量:1
-
10谢舒,谢中华,吴禄训,林文通.自对准钨栅GaAs MESFET IC工艺[J].固体电子学研究与进展,1989,9(1):100-104.
;