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先进的等离子增强化学汽相淀积系统
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摘要
随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展,能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积(PECVD)工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求,而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介绍国外一些先进的PECVD装置系统。
作者
戴永红
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1995年第4期52-56,共5页
Microelectronics
关键词
PECVD
IC工艺
等离子
增强
化学汽相淀积
刻蚀
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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微电子学
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