采用等离子增强TEOS工艺淀积硅氧化层

下载PDF

导出

摘要美国电报电话公司贝尔实验室的研究人员研究了一种采用四乙氧基硅烷(TEOS)定向淀积硅氧化层的工艺。先前的研究显示,硅氧化层的台阶复盖随O_2:TEOS气体流量比而变化,在传统的富氧条件下不可能进行定向淀积。在上个月在加州圣克拉腊召开的VLSI多层互连会议上,他们报道了通过控制淀积的化学过程进行定向淀积的最新研究成果。

作者成福康

出处《微电子学》 CAS CSCD 1990年第4期71-71,共1页 Microelectronics

关键词等离子增强 TEOS 淀积硅氧化膜

分类号 TN405.986 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1李云,尹辰辰,季云,史振亮,靳聪慧,于威,李晓苇.Low-Temperature Deposition of nc-SiO_x:H below 400℃ Using Magnetron Sputtering[J].Chinese Physics Letters,2015,32(4):81-84.
2戴永红.先进的等离子增强化学汽相淀积系统[J].微电子学,1995,25(4):52-56. 被引量：1
3刘德中,罗兴华,张伟,王季陶.等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(11):859-864.
4宋晓辉,杨光.新型薄膜应变元件[J].上海计量测试,2006,33(1):18-19.
5盛柏桢.日本在较低温环境下研制出硅氧化膜[J].半导体信息,2003,0(2):38-39.
6YANG Lin-lin,GUO Heng-qun,ZENG You-hua,WANG Qi-ming.360-nm Photoluminescence from Silicon Oxide Films Embedded with Silicon Nanocrystals[J].Semiconductor Photonics and Technology,2006,12(2):90-94. 被引量：1
7李爱珍,沈兆友.等离子增强化学汽相淀积氮氢化硅混合膜及其组成[J].半导体杂志,1989,14(4):1-5. 被引量：2
8周均,Hille.,U.PECVDSiO_2和SiON薄膜的工艺优化及其应用[J].微电子学,1995,25(5):8-13.
9李光元,蔡琳,肖峰,徐安士.Plasmonic Corrugated Horn Structure for Optical Transmission Enhancement[J].Chinese Physics Letters,2009,26(12):122-124. 被引量：1
10BN掺杂可望制得透明太阳电池[J].现代材料动态,2009(4):9-10.

微电子学

1990年第4期

浏览历史

内容加载中请稍等...

采用等离子增强TEOS工艺淀积硅氧化层

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史