热阴极DC-PCVD方法制备的金刚石厚膜的生长特性和内应力 被引量：13

1

作者 金曾孙 姜志刚 +1 位作者 胡航 曹庆忠 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期65-68,共4页

　采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面... 　采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面和(111)面,厚膜的表面被较多的孪晶所覆盖,部分(111)面退化为3个相互垂直的(110)面,孪晶使厚膜表面结晶特性复杂化,金刚石厚膜的晶粒沿生长方向呈现柱状生长。金刚石厚膜的生长速率随甲烷流量和工作气压的增加而增加,但随生长速率的提高金刚石膜的品质明显下降。金刚石厚膜的内应力以压应力为主,随着甲烷浓度的增加压应力增加,随着工作气压的增加压应力减小,到某个气压之后变为张应力。 展开更多

关键词 制备 热阴极 dc-pcvd 金刚石厚膜 生长特性 内应力

在线阅读 下载PDF 职称材料

甲醇在热阴极DC-PCVD方法制备金刚石膜过程中的作用 被引量：5

2

作者 姜志刚 金曾孙 +5 位作者 白亦真 曹培江 张露 杨广亮 李俊杰 吕宪义 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1648-1650,共3页

采用热阴极 DC-PCVD方法制备了金刚石膜 ,研究了甲醇对放电状态和金刚石膜生长特性的影响 .结果表明 ,通入适量的甲醇有利于稳定辉光放电状态 ,保持阴极清洁 ,提高膜的生长质量 .

关键词 热阴极dc-pcvd 甲醇 辉光放电 金刚石膜 生长特性 直流等离子体沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料

在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜

3

作者 杨川 吴大兴 +1 位作者 高国庆 周海 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期615-618,共4页

置于直流等离子体化学气相沉积（ＤＣＰＣＶＤ）装置的阴极或阳极的２０、２０Ｃｒ、ＧＣｒ１５及２Ｃｒ１３钢，以及单晶硅材料的试样均可沉积获得以Ｓｉ３Ｎ４成分为主要成分的非晶态的绝缘薄膜。这种膜有一定制作条件，讨论了阴阳... 置于直流等离子体化学气相沉积（ＤＣＰＣＶＤ）装置的阴极或阳极的２０、２０Ｃｒ、ＧＣｒ１５及２Ｃｒ１３钢，以及单晶硅材料的试样均可沉积获得以Ｓｉ３Ｎ４成分为主要成分的非晶态的绝缘薄膜。这种膜有一定制作条件，讨论了阴阳极上试样都能获得这种膜的原因。 展开更多

关键词 化学气相沉积 dc-pcvd 薄膜 氮化硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

用DC-PCVD装置对钢沉积Si_3N_4薄膜

4

作者 吴大兴 杨川 高国庆 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期320-324,共5页

控制工艺参数，用直流等离于化学气相沉积（DCPCVD）装置，对碳钢、合金结构钢、高速钢等沉积Si3N4非晶态薄膜，并研究了薄膜的成分、结构。

关键词 钢 化学气相沉积 氮化硅薄膜 dc-pcvd装置

在线阅读 下载PDF 职称材料

用DC-PCVD法沉积非晶态Si_3N_4薄膜的研究

5

作者 吴大兴 周海 +1 位作者 杨川 高国庆 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期248-255,261,共9页

硅的氮化物薄膜用DC-PCVD装置沉积,这种装置在沉积过程中仅用直流电源。涂覆用的基体材料是单晶硅、2Cr13不锈钢等。用扫描电镜研究了薄膜的形态,用红外光谱、X射线衍射仪、透射电镜确认了薄膜的成分、结构。这些结果表明:涂覆试样由表... 硅的氮化物薄膜用DC-PCVD装置沉积,这种装置在沉积过程中仅用直流电源。涂覆用的基体材料是单晶硅、2Cr13不锈钢等。用扫描电镜研究了薄膜的形态,用红外光谱、X射线衍射仪、透射电镜确认了薄膜的成分、结构。这些结果表明:涂覆试样由表面的超硬层,过渡层、基体三部分组成;超硬层主要含非晶态的Si_2N_4;薄膜由许多致密堆积的小球组成。涂覆试样的表面硬度(H_(V0.02))大约是43000～47000 MPa。涂层与基体之间结合力为15N左右。 展开更多

关键词 气相沉积法 非晶态 氮化硅 薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

用DC-PCVD装置在绝缘体蓝宝石上沉积TiN 被引量：2

6

作者 杨川 吴大兴 高国庆 《材料科学进展》 CSCD 1992年第1期60-63,共4页

用直流等离子体化学气相沉积装置(简称 DC-PCVD)在绝缘体蓝宝石上沉积了与基体结合力强的 TiN,探讨了机制及影响成膜的因素。

关键词 蓝宝石 柴油机 测温装置 探头

原文传递

氩气浓度对氮掺杂金刚石膜的影响 被引量：6

7

作者 吴春雷 郑友进 +3 位作者 朱瑞华 王丹 付斯年 黄海亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1624-1628,共5页

采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)方法,以三聚氰胺(C3H6N6)的甲醇(CH3OH)饱和溶液为掺杂源,通过改变反应气氛中的Ar浓度,在P型Si(111)基片上沉积了氮掺杂纳米金刚石膜。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)方法,以三聚氰胺(C3H6N6)的甲醇(CH3OH)饱和溶液为掺杂源,通过改变反应气氛中的Ar浓度,在P型Si(111)基片上沉积了氮掺杂纳米金刚石膜。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔测试系统等分析了不同Ar浓度对氮掺杂金刚石膜生长特性的影响。结果表明:随着Ar浓度的增加,膜的晶粒尺寸逐渐减小,表面变得光滑平整;由拉曼G峰漂移引起的压应力先减小后增大;膜的导电性能变好。且由于C3H6N6的引入,使得在较低的Ar浓度下(H2/Ar流量比为100/100时),即可制得晶粒尺寸在30～50 nm的高质量的金刚石膜样品,远低于H2/Ar体系的Ar浓度为90%的阈值。 展开更多

关键词 直流热阴极PCVD 氮掺杂 Ar浓度 纳米金刚石膜 电阻率

在线阅读 下载PDF 职称材料

硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C（B）／n-Si 异质结光伏特性 被引量：2

8

作者 周之斌 杜先智 +2 位作者 张亚增 杨峰 崔容强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期197-200,共4页

采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５—１０Ωｃｍ。俄歇（Ａｕｇｅｒ）电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜（ＳＥＭ）和激光喇曼（Ｒａｍａｎ）谱分析可知，... 采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５—１０Ωｃｍ。俄歇（Ａｕｇｅｒ）电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜（ＳＥＭ）和激光喇曼（Ｒａｍａｎ）谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多线径为０．５—１．０μｍ的金刚石结晶微粒。制备成Ａｕ／Ｃ（Ｂ）／ｎ－Ｓｉ异质结，其开路电压Ｖｏｃ＝５８０ｍＶ，短路电流密度为６５０μＡｃｍ－２，获得暗Ｉ－Ｖ整流特性和光照Ｉ－Ｖ工作曲线。 展开更多

关键词 类金刚石薄膜 异质结 光伏特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

IN718合金表面脉冲直流PCVD法制备TiN涂层的高温耐冲蚀性能 被引量：1

9

作者 李梦 李世林 田鹤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S2期561-564,共4页

以N2、TiCl4、H2气体为原料,利用脉冲直流等离子体化学气相沉积技术(Pulsed-DCPCVD)在IN718合金表面制备TiN涂层,研究涂层的微观结构及相组成,并进一步表征了涂层样品在400℃下的耐冲蚀性能。结果表明,脉冲直流PCVD法制备的涂层主要由Ti... 以N2、TiCl4、H2气体为原料,利用脉冲直流等离子体化学气相沉积技术(Pulsed-DCPCVD)在IN718合金表面制备TiN涂层,研究涂层的微观结构及相组成,并进一步表征了涂层样品在400℃下的耐冲蚀性能。结果表明,脉冲直流PCVD法制备的涂层主要由TiN相和少量的TiO2相和Ti2N相组成,随着脉冲时间的延长,TiN涂层的致密度提高,但厚度均匀性变差。以脉冲/直流交替工艺方法制备的TiN涂层在400℃下具有较好的耐冲蚀性能。 展开更多

关键词 脉冲直流PCVD IN718 TIN 高温耐冲蚀性能

原文传递

间歇生长模式高甲烷浓度制备纳米金刚石膜 被引量：2

10

作者 姜宏伟 彭鸿雁 +3 位作者 陈玉强 祁文涛 王军 曲晏宏 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2010年第1期67-70,共4页

采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为... 采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜。 展开更多

关键词 直流热阴极PCVD 高甲烷浓度 纳米金刚石膜 间歇式

在线阅读 下载PDF 职称材料

直流PCVD法沉积TiN超硬膜工艺中的几个问题 被引量：2

11

作者 任志华 栾瑞英 《表面工程》 CSCD 1995年第2期25-28,共4页

本文讨论了直流PCVD法沉积TiN工艺中温度控制、色泽控制等问题,提出了预防工件过热、确保涂层色泽的工艺措施,还提出了涂层黑斑的成因及消除方法。

关键词 直流PCVD法 TIN涂层 温度控制 涂层色泽 超硬膜

原文传递

直流热阴极PCVD法CH_4:N_2:H_2气氛下制备纳米金刚石膜 被引量：1

12

作者 姜宏伟 王军 +3 位作者 高福毅 陈奇 陈玉强 彭鸿雁 《真空》 CAS 北大核心 2010年第5期35-38,共4页

采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜。在CH4:H2气体中,在不同压力和温度下,改变通入N2的比例,分析直流热阴极等离子体放电下N2对金刚石膜生长... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜。在CH4:H2气体中,在不同压力和温度下,改变通入N2的比例,分析直流热阴极等离子体放电下N2对金刚石膜生长的影响。采用拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)对样品进行了表征,结果表明,直流热阴极PCVD系统中,CH4:N2:H2气氛下,N2流量小于气体总流量的50%时,在6×103 Pa、850℃条件下,制备的金刚石膜样品的晶粒小于100nm、金刚石1332 cm-1特征峰展宽且强度较高、金刚石的XRD衍射峰强度也较高,具备纳米金刚石膜的基本特征。因此,利用直流热阴极PCVD方法,在较低温度和气压下,CH4:H2中加入少量N2,可以制备出纳米金刚石膜。 展开更多

关键词 直流热阴极 PCVD 纳米金刚石膜

原文传递

探索人工干预诱导二次形核技术制备纳米金刚石膜 被引量：1

13

作者 付东辉 姜宏伟 +3 位作者 彭鸿雁 尹龙承 刘艳凤 胡威 《真空》 CAS 北大核心 2011年第5期74-77,共4页

围绕纳米金刚石膜生长的二次形核理论,利用直流热阴极PCVD技术,在微晶金刚石膜连续生长模式常用的一些生长条件下,通过改变工作气压,改变生长温度,同时采取人工干预间歇生长模式进行金刚石膜生长实验,探索纳米级金刚石膜制备的新途径。... 围绕纳米金刚石膜生长的二次形核理论,利用直流热阴极PCVD技术,在微晶金刚石膜连续生长模式常用的一些生长条件下,通过改变工作气压,改变生长温度,同时采取人工干预间歇生长模式进行金刚石膜生长实验,探索纳米级金刚石膜制备的新途径。实验表明:在金刚石膜生成的过程中,降低工作气压或生长温度,可使等离子体激励能量减弱,导致二次形核基团比例增加,成为人工干预二次形核的内在诱因;通过调节激励电压,使等离子体能量状况改变,有利于二次形核行为的引导,成为人工干预二次形核的外在诱因,在此内外因素共同作用下,可以实现二次形核现象的有效诱导,制备出纳米金刚石膜。人工干预诱导二次形核技术制备纳米金刚石膜的实现,使纳米金刚石膜制作方法得到了扩展,也拓宽了直流热阴极PCVD技术的应用范围。 展开更多

关键词 直流热阴极 PCVD 人工干预 二次形核 纳米金刚石膜

原文传递

直流热阴极PCVD法掺氮纳米金刚石薄膜形貌及结构的影响

14

作者 王明磊 彭鸿雁 +2 位作者 尹龙承 祁文涛 姜宏伟 《真空》 CAS 北大核心 2011年第4期73-75,共3页

采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,通过在CH4/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜。结果表明随着氮气流量的增加,金刚石薄膜表面形貌发生明显变化:晶粒细化,晶界和缺陷有所增多,膜层由尺寸较大... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,通过在CH4/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜。结果表明随着氮气流量的增加,金刚石薄膜表面形貌发生明显变化:晶粒细化,晶界和缺陷有所增多,膜层由尺寸较大微晶颗粒转向纳米级菜花状结构,并且薄膜表面粗糙度相应变小。同时薄膜中非金刚石组份相对逐渐增多。氮气的引入可以促进金刚石二次形核,抑制金刚石大颗粒生长,对薄膜的生长取向、形貌及结构都产生一定影响。 展开更多

关键词 直流热阴极 PCVD 纳米金刚石膜 掺氮

原文传递

直流热阴极PCVD法间歇生长模式间歇周期的研究

15

作者 陈玉强 姜宏伟 +1 位作者 彭鸿雁 尹龙承 《真空》 CAS 北大核心 2011年第3期72-76,共5页

采用直流热阴极PCVD方法间歇生长模式,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,利用人工干预二次形核工艺,研究了间歇周期变化对制备纳米晶金刚石膜的影响。人工干预二次形核是指通过生长温度的周期性改变而诱发二次形核行为,... 采用直流热阴极PCVD方法间歇生长模式,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,利用人工干预二次形核工艺,研究了间歇周期变化对制备纳米晶金刚石膜的影响。人工干预二次形核是指通过生长温度的周期性改变而诱发二次形核行为,从而实现金刚石膜的纳米晶生长。金刚石膜周期性生长过程分为沉积阶段和干预阶段,沉积阶段主要完成金刚石膜的生长,干预阶段将沉积温度降低到600℃,然后恢复到生长温度,即完成一个生长周期。间歇周期研究主要是考察在不同间歇时间里人工干预诱导二次形核的效果,间歇时间设定为1 min、5 min、10 min、15 min、20 min,生长时间设为20 min,总的沉积时间为6 h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD对样品进行了分析,结果表明直流热阴极PCVD方法间歇生长模式,间歇周期的变化,对二次形核的发生有诱导作用,适当选择间歇周期,有利于二次形核基团的生成。 展开更多

关键词 人工干预二次形核 纳米金刚石膜 直流热阴极PCVD 间歇生长

原文传递

直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备透明金刚石膜

16

作者 彭鸿雁 姜宏伟 +3 位作者 尹龙承 黄海亮 王丹 陈玉强 《真空》 CAS 2014年第1期29-32,共4页

采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)方法,通过金刚石膜的间歇生长过程,引入氮原子的作用,实现对非金刚石成份的刻蚀和金刚石膜的择优取向生长,在CH4:N2:H2气氛下制备透明金刚石膜。金刚石膜的间歇式生长分为沉积阶段... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)方法,通过金刚石膜的间歇生长过程,引入氮原子的作用,实现对非金刚石成份的刻蚀和金刚石膜的择优取向生长,在CH4:N2:H2气氛下制备透明金刚石膜。金刚石膜的间歇式生长分为沉积阶段和刻蚀两个阶段,沉积阶段为20 min,刻蚀阶段为1 min,沉积和刻蚀通过温度的调节来实现,总的生长时间10 h;实验中主要改变的参数是N2气比例,将N2气流量与总气体流量的比例分为高、中、低三档分别进行实验。结果在CH4:N2:H2比例为2:20:180时获得了透明金刚石膜。金刚石膜样品用Raman光谱仪、SEM和XRD进行了表征,研究表明,直流热阴极PCVD间歇生长模式下,通过引入氮原子的作用,可以制备出(111)面取向的透明金刚石膜。 展开更多

关键词 直流热阴极 PCVD 间歇生长模式 透明金刚石膜

原文传递

人工干预二次形核研究

17

作者 姜宏伟 孔德贵 +3 位作者 刘力 张艳萍 祁文涛 王军 《真空》 CAS 2013年第3期79-83,共5页

采用直流热阴极PCVD技术,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,通过人工干预实现二次形核,制备纳米晶金刚石膜。金刚石膜周期性生长过程分为沉积阶段和干预阶段,沉积阶段时间为20 min,干预阶段将沉积温度降低到600℃,时间为... 采用直流热阴极PCVD技术,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,通过人工干预实现二次形核,制备纳米晶金刚石膜。金刚石膜周期性生长过程分为沉积阶段和干预阶段,沉积阶段时间为20 min,干预阶段将沉积温度降低到600℃,时间为1 min,然后恢复到生长温度,一个生长周期为21 min,总的沉积时间为6 h。实验分为高、低气压和高、低温度的四种组合,并与连续生长模式进行了对比。采用拉曼光谱仪、SEM对样品进行了分析,除高气压和高温度条件外,其它三组实验的金刚石膜的1332 cm-1拉曼峰展宽明显、金刚石膜晶粒小于100 nm,样品都具有纳米晶特征。结果表明直流热阴极PCVD技术的人工干预方法,可以导致金刚石膜生长过程的二次形核行为发生,制备出纳米金刚石膜。 展开更多

关键词 人工干预二次形核 纳米金刚石膜 直流热阴极PCVD

原文传递

直流PCVD方法制备碳纳米管的生长特性

18

作者 齐海东 刘洪波 王立忠 《廊坊师范学院学报（自然科学版）》 2017年第4期49-52,共4页

通过直流PCVD方法制备碳纳米管,研究了基片温度在500℃～90℃范围内,反应气体的压强在60torr、75torr和90torr时碳纳米管的生长特性,发现700℃左右是比较合适的沉积温度,当气压为75torr的时候,管径均匀。同时研究了甲烷浓度在8%～20%时... 通过直流PCVD方法制备碳纳米管,研究了基片温度在500℃～90℃范围内,反应气体的压强在60torr、75torr和90torr时碳纳米管的生长特性,发现700℃左右是比较合适的沉积温度,当气压为75torr的时候,管径均匀。同时研究了甲烷浓度在8%～20%时碳纳米管的生长特性,发现低的甲烷浓度沉积的碳纳米管的管径比较均匀,而较高的甲烷浓度下管径不均匀。 展开更多

关键词 直流PCVD 碳纳米管 生长特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

用DC—PCVD装置在绝缘体蓝宝石上沉积TiN的研究

19

作者 杨川 吴大兴 《重庆特钢》 1992年第4期277-278,共2页

关键词 蓝宝石 dc-pcvd TIN 薄膜 沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料

用DC—PCVD装置沉积非晶态Si3N4薄膜的研究

20

作者 吴大兴 周海 《重庆特钢》 1992年第4期275-276,共2页

关键词 非晶态 氮化硅 薄膜 dc-pcvd 沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料