用DC—PCVD装置沉积非晶态Si3N4薄膜的研究
-
1杨川,吴大兴.用DC—PCVD装置在绝缘体蓝宝石上沉积TiN的研究[J].重庆特钢,1992(4):277-278.
-
2吴大兴,杨川,高国庆.用DC-PCVD装置对钢沉积Si_3N_4薄膜[J].金属学报,1997,33(3):320-324.
-
3周海,吴大兴,杨川,高国庆.DC-PCVD装置中阴阳极上Si_3N_4薄膜沉积模型[J].机械工程材料,1997,21(4):11-12.
-
4周海,吴大兴,杨川,高国庆.DC-PCVD法快速制备Si_3N_4薄膜[J].硅酸盐学报,1997,25(4):489-493. 被引量:5
-
5刘力.Si3N4纳米涂层的性能分析[J].中国外资,2008(8):239-240.
-
6周海.DC-PCVD法沉积的非晶态氮化硅的结构与性能研究[J].材料科学与工程,1997,15(2):56-60.
-
7马伯江,张涵源,朱华东,卜凡宁.DC-PCVD处理的金刚石磨头钎焊机理的研究[J].硬质合金,2015,32(3):164-168.