超薄栅氧化层的击穿机理与模型的研究进展

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作者 刘红侠 郝跃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期442-448,共7页

超薄栅氧化层的可靠性是MOS集成电路中最重要的问题之一。文中综合分析了超薄栅氧化层击穿的物理模型,并对其击穿机理进行了详细的描述,同时还指出了一些物理模型中存在的问题。为深入研究超薄栅氧化的击穿机理及其可靠性的建模奠定了... 超薄栅氧化层的可靠性是MOS集成电路中最重要的问题之一。文中综合分析了超薄栅氧化层击穿的物理模型,并对其击穿机理进行了详细的描述,同时还指出了一些物理模型中存在的问题。为深入研究超薄栅氧化的击穿机理及其可靠性的建模奠定了基础。 展开更多

关键词 超薄栅氧化层 电子陷阱 碰撞电离 可靠性 MOS IC

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栅氧可靠性的快速评估 被引量：1

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作者 史保华 《微电子技术》 2000年第1期44-47,共4页

本文基于与缺陷有关的等效氧化层减薄模型 ,对N -MOS电容样品进行了斜坡电压实验 ,从中提取了有关中位值及标准差 ,用来快速评估栅氧质量及其可靠性。

关键词 集成电路 栅氧化层 可靠性 MOS器件

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深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法 被引量：2

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作者 夏增浪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期45-49,共5页

详述了目前用于深亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电（ＥＳＤ）保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅（ＰＴＬＳＣＲ／ＮＴＬＳＣＲ）ＥＳＤ保护电路的工作原理。

关键词 深亚微米 低压CMOS IC ESD保护电路

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IDDQ测试技术及其实现方法 被引量：2

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作者 谭超元 钟征宇 《电子产品可靠性与环境试验》 1999年第1期38-42,共5页

ＩＤＤＱ（即静态电源电流）测试是近几年来国外比较流行的ＣＭＯＳ集成电路测试技术。ＩＤＤＱ测试能够检测出传统的固定值故障电压测试（即ＳＡＦ功能测试）所无法检测的ＣＭＯＳ集成电路内部的缺陷（如氧化层短路，穿通等），所以，... ＩＤＤＱ（即静态电源电流）测试是近几年来国外比较流行的ＣＭＯＳ集成电路测试技术。ＩＤＤＱ测试能够检测出传统的固定值故障电压测试（即ＳＡＦ功能测试）所无法检测的ＣＭＯＳ集成电路内部的缺陷（如氧化层短路，穿通等），所以，能够明显提高ＣＭＯＳ集成电路的使用可靠性。本文叙述了ＩＤＤＱ测试的基本原理和ＩＤＤＱ测试在集成电路测试系统上的实现方法及测试实例。 展开更多

关键词 IDDQ 电流测试 CMOS 可靠性 集成电路

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薄栅SiO_2早期电导机制的研究

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作者 张晖 许铭真 +1 位作者 谭长华 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期44-49,共6页

本文利用恒定电压作用方法,测量硅栅MOS结构高场隧道电流的时间相关特性,研究了薄栅SiO_2的早期电导机制。认为在高场作用下,影响SiO_2电导的主要因素不仅有SiO_2体内阳极附近局域内的新生正电荷和SiO_2体内原生、新生电子陷阱,还应当... 本文利用恒定电压作用方法,测量硅栅MOS结构高场隧道电流的时间相关特性,研究了薄栅SiO_2的早期电导机制。认为在高场作用下,影响SiO_2电导的主要因素不仅有SiO_2体内阳极附近局域内的新生正电荷和SiO_2体内原生、新生电子陷阱,还应当包括新生界面态;并且,新生正电荷和新生界面态很有可能源于同一种产生物理机制。 展开更多

关键词 MOS集成电路 薄SIO2 电导机制

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斜坡电压法评价栅氧化层TDDB寿命 被引量：1

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作者 肖金生 G.Kervarrec 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第1期25-29,共5页

随着MOS集成电路向深亚微米方向发展,栅氧化层的电场强度越来越高,与时间有关的介质击穿(TDDB)效应成了更突出的可靠性问题.对栅氧化层TDDB寿命的评价一直受到人们的重视.主要评价方法有恒定电压法、恒定电流法和斜坡电压法.恒定电压法... 随着MOS集成电路向深亚微米方向发展,栅氧化层的电场强度越来越高,与时间有关的介质击穿(TDDB)效应成了更突出的可靠性问题.对栅氧化层TDDB寿命的评价一直受到人们的重视.主要评价方法有恒定电压法、恒定电流法和斜坡电压法.恒定电压法具有理论完善、所需仪器简单的优点.但由于栅氧化层的TDDB寿命主要取决于氧化层中的缺陷状况,随机性很大,很难选择合适的试验电压,大大限制了它的应用.恒定电流法也存在类似的问题.新的评价方法是斜坡电压法,它是在栅氧化层上施加从零伏开始随时间线性增加的电压。 展开更多

关键词 栅氧化层 TDDB 寿命 MOS集成电路 斜坡电压法

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监测CMOSIC关键失效的微电子测试结构

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作者 张安康 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第1期29-34,共6页

介绍了ＣＭＯＳＩＣ的静电放电微电子测试结构，叙述了双极－ＭＯＳ兼容的闭锁效应和闭锁滞后现象的微电子测试结构，并对测试结果进行了讨论。

关键词 集成电路 可靠性 电路测试 微电子 CMOS

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CMOS闭锁效应的几种失效及其检测

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作者 张安康 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第2期23-27,共5页

本文叙述了闭锁(latch up)效应与温度的关系,讨论了瞬态闭锁效应的临界电荷模型,分析了结尖峰引起的局部闭锁效应,介绍了双极MOS兼容电路的闭锁效应以及相应的检测技术.

关键词 闭锁效应 临界电荷 CMOS 失效 检测

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CMOS集成电路与栅氧有关的突然失效

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作者 王恩德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期27-29,共3页

本文探讨了CMOS晶体管在静态偏压-温度老化下产生的突然失效。在试验时出现的失效模式是栅和衬底之间发生的短路,以及栅开路。随后失效分析揭示了铝与栅氧之间互相作用是失效机理。最后指出P^+区的缺陷是引起所观察到的失效现象的原因。

关键词 CMOS 集成电路 栅氧 失效 可靠性

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Diodes推出多款八路逻辑器件以简化数据总线工程设计

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《电子设计工程》 2014年第23期138-138,共1页

Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出八路逻辑器件丰富了低压CMOS逻辑系列。十三款全新常用的八通道逻辑器件采用节省空间的QFN及TSSOP二十引脚封装,适合多种消费性电子及数据通信产品的数据总线应用。 Diodes 74LVC系列新增的八... Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出八路逻辑器件丰富了低压CMOS逻辑系列。十三款全新常用的八通道逻辑器件采用节省空间的QFN及TSSOP二十引脚封装,适合多种消费性电子及数据通信产品的数据总线应用。 Diodes 74LVC系列新增的八路逻辑功能包括缓冲器和线路驱动器、无线电收发器、锁存器及触发器。新逻辑器件的宽广电源电压范围为1.65 V到3.6 V,可直接替代现有的行业标准产品,并支持传统和先进的电池供电迷你产品设计。 展开更多

关键词 逻辑器件 DIODES 线路驱动器 引脚封装 总线应用 电源电压范围 电压环 消费性电子 锁存器 收发器

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UT20小型超声波传感器

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《传感器世界》 2005年第12期46-46,共1页

UT20小型超声波传感器的外形尺寸为32×20×12mm．扫描距离为20～150mm，分辨率为0．2mm。传感器可提供开关点、窗口和反射模式．它的特点是：温度补偿功能，25Hz的转换频率，教学功能，同步输入。可提供模拟和数字两种输出模... UT20小型超声波传感器的外形尺寸为32×20×12mm．扫描距离为20～150mm，分辨率为0．2mm。传感器可提供开关点、窗口和反射模式．它的特点是：温度补偿功能，25Hz的转换频率，教学功能，同步输入。可提供模拟和数字两种输出模式，模拟输出为4～20mA或0～10VDC信号．数字输出为pnp／npn结构或NO／NC结构。 展开更多

关键词 超声波传感器 npn结构 模拟输出 外形尺寸 补偿功能 反射模式 转换频率 教学功能 输出模式 数字输出

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一种改进的贮存失效率求解算法

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作者 胡斌 《中国工程物理研究院科技年报》 2006年第1期416-417,共2页

研究长期贮存产品的贮存失效率，对于评定产品的贮存可靠性和贮存寿命，合理确定备品备件数量和检测周期均有重要意义。在产品贮存期间，通常采用定期检测的方式判断产品是否故障。由于不知道故障发生的确切时间，贮存失效率的求解是一... 研究长期贮存产品的贮存失效率，对于评定产品的贮存可靠性和贮存寿命，合理确定备品备件数量和检测周期均有重要意义。在产品贮存期间，通常采用定期检测的方式判断产品是否故障。由于不知道故障发生的确切时间，贮存失效率的求解是一个难题。一般采用极大似然算法求解贮存失效率，条件中位数算法由于估计误差大而很少被采用。 展开更多

关键词 贮存失效率 求解算法 极大似然算法 故障发生 贮存可靠性 条件中位数 长期贮存 贮存寿命

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利用《手册》预测IC贮存失效率

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作者 翁寿松 《LSI制造与测试》 1994年第3期27-30,共4页

关键词 集成电路 CMOS IC 贮存失效率 预测

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CMOS电路的ESD失效机理研究

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作者 黄瑞毅 刘发 《电子产品可靠性与环境试验》 1993年第6期19-21,7,共4页

关键词 MOS电路 静电放电 失效机理 应用

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高速CMOS的可靠性试验

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作者 薛仁经 陈三廷 《电子产品可靠性与环境试验》 1993年第1期38-44,共7页

关键词 CMOS电路 可靠性 试验 集成电路

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超薄栅介质的可靠性分析

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作者 张安康 《电子产品可靠性与环境试验》 1990年第1期17-24,共8页

关键词 MOS 集成电路 超薄栅栅介质 可靠性

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通过THB试验对长期使用塑封器件的可靠性评价（续）

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作者 Bramb.,P 李志国 《电子产品可靠性与环境试验》 1990年第2期55-59,共5页

关键词 THB试验 塑封器件 可靠性 集成电路

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对MOS集成电路失效的分析

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作者 吴建忠 《电子产品可靠性与环境试验》 1993年第4期9-14,共6页

关键词 MOS集成电路 失效分析 集成电路

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如何防止CMOS电路产生锁定失效提高其使用可靠性

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作者 薛仁经 赵春城 《电子产品可靠性与环境试验》 1990年第3期17-22,共6页

关键词 CMOS电路 锁定失效 可靠性

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CMOS输入电路抗ESD性能研究

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作者 费新 朱正涌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期43-45,共3页

对ＣＭＯＳ电路中的ＥＳＤ损伤进行了研究，建立了ＥＳＤ灵敏度分类的测试方法，并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ＥＳＤ灵敏度的影响，提出了一种ＮＰＮ防ＥＳＤ结构，得到了ＥＳＤ失效阈值电压达２００... 对ＣＭＯＳ电路中的ＥＳＤ损伤进行了研究，建立了ＥＳＤ灵敏度分类的测试方法，并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ＥＳＤ灵敏度的影响，提出了一种ＮＰＮ防ＥＳＤ结构，得到了ＥＳＤ失效阈值电压达２０００Ｖ以上的抗ＥＳＤ结构。 展开更多

关键词 集成电路 CMOS 输入电路 NPN结构 静电放电

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