CMOS电路的ESD失效机理研究
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1993年第6期19-21,7,共4页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
12002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)——用于预防ESD失效的ESD电路模拟——应用于0.18μmCMOS技术产品[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(4):61-61.
-
2蔡军,邓永孝.MOS器件ESD失效的机理分析[J].微电子学与计算机,1989,6(10):22-25. 被引量:1
-
3李少霞.QFP焊点可靠性失效的研究[J].轻工科技,2015,31(2):52-54.
-
4杨力宏,唐威,刘佑宝.一种新型互补电容耦合ESD保护电路[J].微电子学与计算机,2007,24(11):67-69. 被引量:1
-
5赖忠有,许清平.MOS器件的ESD失效[J].电子产品可靠性与环境试验,2011,29(6):64-67. 被引量:2
-
6杨洁,张希军,武占成.高频小功率硅双极晶体管不同管脚端对静电放电失效的机理[J].高电压技术,2012,38(9):2254-2258. 被引量:6
-
7汪洋,周阿铖,朱科翰,金湘亮.18V LDMOS器件ESD电流非均匀分布的模拟和测试分析[J].固体电子学研究与进展,2012,32(3):269-274. 被引量:2
-
8吴峰霞,申俊亮,蔡斌.0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理[J].半导体技术,2013,38(10):786-791. 被引量:3
-
9梁海莲,董树荣,顾晓峰,李明亮,韩雁.GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响[J].固体电子学研究与进展,2013,33(2):194-198. 被引量:1
-
10郑若成,孙锋,吴金.NMOS器件ESD特性模拟[J].电子与封装,2008,8(3):18-21. 被引量:1
;