活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(中)

1

作者 范崇治 殷志强 《太阳能》 2014年第7期16-18,22,共4页

2实验结果和讨论 2．1阴极和沉积特性 典型空心阴极I-V，特性如图2所示，HC中有铜靶块并用氩气作为工作气体。在气流量和放电电流一定时，压强越低需放电电压越高。在给定真空室压强情况下，两个不同气流量的I-V特性很接近，在一定电... 2实验结果和讨论 2．1阴极和沉积特性 典型空心阴极I-V，特性如图2所示，HC中有铜靶块并用氩气作为工作气体。在气流量和放电电流一定时，压强越低需放电电压越高。在给定真空室压强情况下，两个不同气流量的I-V特性很接近，在一定电流下，较高的气流量电压略低一点（注： 展开更多

关键词 沉积特性 阴极溅射 空心阴极 AL2O3 IN2O3 MO薄膜 ZnO I-V特性

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空心阴极气流溅射法快速沉积具有高活性光催化作用的TiO_2薄膜(下)

2

作者 范崇治 Yoshiyuki Kubo +1 位作者 Yoshinori Iwabuchi Masato Yoshikawa 《太阳能》 2014年第10期10-11,共2页

图4a和4b分别为在UV-近红外光谱，刚沉积和经后退火工艺两种情况下的TiO2膜。以上两种情况在可见光区域透射比几乎相同，与后退火无关。O2流量为10～50sccm时，沉积的TiO2膜在可见光区域具有的高透射比约为0．70。

关键词 TiO2薄膜 快速沉积 光催化作用 空心阴极 高活性 溅射法 TIO2膜 后退火工艺

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活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(上)

3

作者 范崇治 Delahoy A E +1 位作者 Guo S Y Paduraru C 《太阳能》 2014年第6期28-29,33,共3页

研究了薄膜沉积方法,基于空心阴极金属溅射,在基材附近提供反应气体。工作气体和携带溅射原子通过一个狭长通道从阴极出来,这样,反应气体被阻止到达靶面。用Cu靶和脉冲电源激励,研究了阴极的基本运作。研究包括沉积率对电源、压强、气... 研究了薄膜沉积方法,基于空心阴极金属溅射,在基材附近提供反应气体。工作气体和携带溅射原子通过一个狭长通道从阴极出来,这样,反应气体被阻止到达靶面。用Cu靶和脉冲电源激励,研究了阴极的基本运作。研究包括沉积率对电源、压强、气体流量和膜厚分布的依存关系,以及膜电阻率作为基材上的状态函数。用模型进行计算气体的速度分布和在腔内的压强,Al2O3膜是在氧的活性环境下溅射一个Al靶获得的,必须指出只要极少量氧气通过阴极就能氧化(中毒)靶,而外面大量氧气完全不会影响靶,在后者模式下实现了非常稳定的放电且易形成的Al2O3薄膜。利用该方法制备透明的ZnO导电膜,掺杂Al或B,达到了高沉积率,且在适当氧流量下得到了低的膜电阻率。同时,制备了高迁移率的In2O3:Mo透明导电膜,电阻率仅有1.9×10-4Ω·cm。给出了空心阴极的比例关系、沉积效率,比较了磁控溅射和直线的活性环境空心阴极溅射。 展开更多

关键词 溅射 空心阴极 掺杂 AL2O3 ZNO In2O3Mo

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空心阴极气流溅射法快速沉积具有高活性光催化作用的TiO_2薄膜(上)

4

作者 范崇治 Yoshiyuki Kubo +1 位作者 Yoshinori Iwabuchi Masato Yoshikawa 《太阳能》 2014年第9期16-17,共2页

光催化剂TiO2薄膜是用两个平行Ti靶的空心阴极气流溅射方法沉积而成,氩气和氧气流量分别是3000 sccm和0～ 50 sccm,在沉积过程中总气压维持在45 Pa.在氧气流量为30 sccm时,TiO2膜最大沉积率为162 nm/min,之后在空气中300℃,1h进行退火工... 光催化剂TiO2薄膜是用两个平行Ti靶的空心阴极气流溅射方法沉积而成,氩气和氧气流量分别是3000 sccm和0～ 50 sccm,在沉积过程中总气压维持在45 Pa.在氧气流量为30 sccm时,TiO2膜最大沉积率为162 nm/min,之后在空气中300℃,1h进行退火工艺,用来作光催化分解乙醛（CH3CHO）,和一般反应溅射相比,后退火膜显示出非常高的光催化作用. 展开更多

关键词 空心阴极气流溅射 沉积 光催化 TIO2

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脉冲磁控溅射制备氧化铝涂层的结构和性能控制(下) 被引量：1

5

作者 范崇治(译) 殷志强(校) 《太阳能》 2013年第21期9-13,共5页

为了方便，Taguchi阵列涂层标识为1／x，x是阵列的实验数，同样，第2阵列（次实验）为2／x。

关键词 氧化铝涂层 性能控制 溅射制备 结构 磁控 脉冲 阵列 实验

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先进太阳选择性吸收涂层的发展 被引量：1

6

作者 范崇治(译) 殷志强(校) 《太阳能》 2013年第17期12-17,共6页

槽式抛物面太阳场运行温度的提高,由400℃至>450℃,能增加总太阳发电效率和减小槽式抛物面发电厂的发电成本。当前的太阳选择性涂层不具备在较高工作温度所需的稳定性和工作性能。本文目的是开发更有效的太阳选择性涂层,在高于450℃... 槽式抛物面太阳场运行温度的提高,由400℃至>450℃,能增加总太阳发电效率和减小槽式抛物面发电厂的发电成本。当前的太阳选择性涂层不具备在较高工作温度所需的稳定性和工作性能。本文目的是开发更有效的太阳选择性涂层,在高于450℃时有高的太阳吸收比(α>0.96)和低的热发射比(在450℃时,ε<0.07),他们在高于450℃是热稳定的,在空气中是理想的,且具有改善了耐久性和生产制造性,因此减少了成本,利用计算机辅助光学设计软件,使多层太阳选择涂层具有超过目标的光学性能(吸收比为0.959,450℃时发射比为0.070)和比一般商业涂层有更低的热损失,那些具有高热稳定性的材料用计算机模型化了,这些超过设定的目标1%的发射比约等于1.2%吸收比。关键问题是沉积涂层的方法,为了沉积这单独的一层层薄膜,为了模型化的选择性多层结构的原型,使用由离子束辅助(IBAD)和电子束(电子束)共同沉积,这是由于它的灵活性和低的材料成本,实验工作聚焦在模型化的高温太阳选择性涂层;沉积一个个单层和模型化的涂层;测量光、热、形貌和成分等性质,并利用数据使模型化和沉积特性的有效性;涂层再优化;测量涂层工作性能和耐久性,将描述开发一个耐久的和先进的选择性涂层的过程。 展开更多

关键词 涂层 电子束 发射比 光学模型 抗氧化 太阳选择性

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太阳选择性吸收涂层系列讲座(11) 金属表面去油用等离子体技术(下)

7

作者 范崇治(译) 殷志强(校) 《太阳能》 2014年第5期16-17,共2页

有沾污的金属片清洁是用HPLC级水与金属表面接触角的测定来进行，接触角用量角测量，更精确用动态接触角仪测量，所有测量中都用水10μL。样品从系统取出后立即进行接触角测量，用等离子放射浓度Dpl来研究接触角。Dpl定义为阴极功率肜... 有沾污的金属片清洁是用HPLC级水与金属表面接触角的测定来进行，接触角用量角测量，更精确用动态接触角仪测量，所有测量中都用水10μL。样品从系统取出后立即进行接触角测量，用等离子放射浓度Dpl来研究接触角。Dpl定义为阴极功率肜与阴极长度三。和金属带传送速度vs乘积之比。 展开更多

关键词 等离子体技术 金属表面 接触角测量 表面接触角 油用 动态接触角 传送速度 DPL

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太阳选择性吸收涂层系列讲座(10) 金属表面去油用等离子体技术(上)

8

作者 范崇治(译) 殷志强(校) 《太阳能》 2014年第4期29-30,34,共3页

开发了可进行线性放大的等离子源,在活性等离子体中用于清除金属在压轧时的油污。本文提供了等离子源的设计和性能,表面清洁度是用和水的接触角来估计的;氧的等离子体对油的去除作用进一步用X射线光电子谱仪来观测,以铝和不锈钢金属来... 开发了可进行线性放大的等离子源,在活性等离子体中用于清除金属在压轧时的油污。本文提供了等离子源的设计和性能,表面清洁度是用和水的接触角来估计的;氧的等离子体对油的去除作用进一步用X射线光电子谱仪来观测,以铝和不锈钢金属来说明清洁结果。 展开更多

关键词 等离子体 去油 清洁度 金属

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基于优化技术的单元级模拟集成电路综合器 被引量：3

9

作者 杨华中 汪蕙 +1 位作者 刘润生 范崇治 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期72-75,共4页

本文介绍了一种基于优化技术的单元级模拟集成电路综合方法，该方法采用模拟退火法同时进行拓扑选择和器件尺寸优化，克服了＂两步模式＂所固有的弊端，本文还构造了一种迭代策略以减小模拟退火法的计算量，按该方法开发的综合器能很好... 本文介绍了一种基于优化技术的单元级模拟集成电路综合方法，该方法采用模拟退火法同时进行拓扑选择和器件尺寸优化，克服了＂两步模式＂所固有的弊端，本文还构造了一种迭代策略以减小模拟退火法的计算量，按该方法开发的综合器能很好地完成单管放大器、电流镜、运算放大器、模拟乘法器、开关电源控制器等模拟集成电路单元的自动综合． 展开更多

关键词 模拟 集成电路 计算机辅助设计 优化

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脉冲磁控溅射制备氧化铝涂层的结构和性能控制(上)

10

作者 范崇治(译) 殷志强(校) 《太阳能》 2013年第19期10-12,共3页

氧化铝涂层提供了在腐蚀或氧化环境下金属零件的保护，虽然，直到最近完全致密、无缺陷的氧化物涂层的制备是非常困难的，氧化物涂层可在氧化环境中用一个金属靶的直流反应溅射的方法或用一个氧化物靶的射频溅射的方法制造。后面一种方... 氧化铝涂层提供了在腐蚀或氧化环境下金属零件的保护，虽然，直到最近完全致密、无缺陷的氧化物涂层的制备是非常困难的，氧化物涂层可在氧化环境中用一个金属靶的直流反应溅射的方法或用一个氧化物靶的射频溅射的方法制造。后面一种方法沉积率很低，不能商业应用。直流溅射高绝缘材料，例如氧化铝也是有问题的，在靶表面上建立绝缘层会导致电弧，电弧会影响沉积过程的稳定性，且会造成薄膜的结构和特性的负面影响。但一个新技术——脉冲磁控溅射大大增强制造这种材料的可行性，已经证明在10～200kHz范围磁控放电能阻止在靶面电弧的形成，工艺稳定，沉积率高。这个技术用来沉积从纯铝到理想配比的Al2O3，该涂层的性能用扫描和透射电子显微镜、x射线衍射仪、4点探针及纳米识别技术进行了研究，用涂层的组成来说明观察到的结构和特性的变化，并用新结构模型图表示。 展开更多

关键词 氧化铝 涂层 脉冲磁控溅射

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模拟集成电路设计自动化技术 被引量：5

11

作者 杨华中 刘润生 +1 位作者 汪蕙 范崇治 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第2期202-208,共7页

随着对数模系统集成技术的迫切需求,模拟集成电路综合技术的研究正受到越来越广泛的注视。本文评述了现有模拟集成电路设计自动化技术的主要方法:拓扑综合,器件尺寸优化和版图综合技术。

关键词 模拟集成电路 设计 自动化 拓扑综合 版图综合

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深亚微米工艺趋势与电子设计自动化技术 被引量：1

12

作者 杨华中 汪蕙 +1 位作者 刘润生 范崇治 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期73-79,共7页

深亚微米工艺的日趋成熟为电子设计自动化（ＥＤＡ）提供了空前广阔的空间，也使之面临许多崭新的课题，其中，最引人注目的是快速电路模拟技术和互连问题，本文综述了这些领域的最新成就，并提出了ＥＤＡ领域中若干亟待解决的课题。

关键词 电子设计自动化 互连 集成电路 深亚微米工艺

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太阳选择性吸收涂层系列讲座(14) 活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(下)

13

作者 Delahoy A E Guo S Y +1 位作者 Paduraru C 范崇治 《太阳能》 2014年第8期39-41,共3页

透明导电氧化物薄膜，例如SnO2、ITO、ZnO，有很多应用，如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺杂氧化锌膜用射频或脉冲直流溅射陶瓷靶，它含有ZnO和2％（重量比）Al2O3，无论如何靶的代价是过高的，而能用的功率密度是有限的。... 透明导电氧化物薄膜，例如SnO2、ITO、ZnO，有很多应用，如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺杂氧化锌膜用射频或脉冲直流溅射陶瓷靶，它含有ZnO和2％（重量比）Al2O3，无论如何靶的代价是过高的，而能用的功率密度是有限的。最近反应磁控溅射Zn：Al靶受到关注，虽然它需电压控制和氧分压强的闭环控制以保证工作在金属／氧化物过渡模式。 展开更多

关键词 ZnO Al2O3 IN2O3 透明导电氧化物薄膜 阴极溅射 MO薄膜 应用 掺杂

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多分子模拟退火法及其在模拟集成电路综合中的应用 被引量：1

14

作者 杨华中 汪蕙 +1 位作者 范崇治 刘润生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期82-85,共4页

本文提出了一种多分子模拟退火法（ＳＡＭＭ），该方法不仅具有模拟退火法（ＳＡ）的全局收敛性，而且还能有效避免ＳＡ后期既费时又不十分必要的迭代过程，因而具有较高的效率，而且非常适合于求解模拟集成电路综合问题．本文还给出了... 本文提出了一种多分子模拟退火法（ＳＡＭＭ），该方法不仅具有模拟退火法（ＳＡ）的全局收敛性，而且还能有效避免ＳＡ后期既费时又不十分必要的迭代过程，因而具有较高的效率，而且非常适合于求解模拟集成电路综合问题．本文还给出了若干算例以展示ＳＡＭＭ的可行性和高效性． 展开更多

关键词 模拟集成电路 CAD 模拟退火法

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S－域行为描述的模拟集成电路综合方法 被引量：1

15

作者 杨华中 范崇治 +1 位作者 汪蕙 刘润生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期58-62,共5页

本文提出了一种通用的、从Ｓ－域传输函数入手进行模拟集成电路结构级综合的方法，并详细地讨论了提高电路性能和合格率的电路技巧。此外，本文还给出了生成物理版图的一点建议，本文采用该方法完成了切比雪夫滤波器的综合，ＳＰＩＣＥ... 本文提出了一种通用的、从Ｓ－域传输函数入手进行模拟集成电路结构级综合的方法，并详细地讨论了提高电路性能和合格率的电路技巧。此外，本文还给出了生成物理版图的一点建议，本文采用该方法完成了切比雪夫滤波器的综合，ＳＰＩＣＥ模拟结果表明该方法是可行的。 展开更多

关键词 模拟集成电路 集成电路 计算机辅助设计

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集成电路合格率优化方法的研究 被引量：1

16

作者 杨华中 范崇治 刘润生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期106-109,共4页

本文引入了一个概率空间来描述集成电路合格率优化问题，并将合格率表示为可行域的概率测度。所提出的变权重ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法适合于合格率不太高的场合，而改进后的ＳＡ算法则适合于合格率比较高的场合。这些方法已应用于ＹＯＳ... 本文引入了一个概率空间来描述集成电路合格率优化问题，并将合格率表示为可行域的概率测度。所提出的变权重ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法适合于合格率不太高的场合，而改进后的ＳＡ算法则适合于合格率比较高的场合。这些方法已应用于ＹＯＳＩＣ系统中，并取得了满意的效果。 展开更多

关键词 集成电路 统计优化 合格率 CAD

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基于状态方程行为描述的模拟集成电路的自动综合

17

作者 杨华中 汪蕙 +1 位作者 刘润生 范崇治 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期53-56,共4页

为实现用状态方程组描述的模拟集成电路的自动综合，本文提出了一种结构级分解和单元电路综合相结合的方法。在引人简单函数概念的基础上，通过采用语法分析、去冗处理和加法器归并等三个步聚使结构级分解变得简便易行；在单元电路综合... 为实现用状态方程组描述的模拟集成电路的自动综合，本文提出了一种结构级分解和单元电路综合相结合的方法。在引人简单函数概念的基础上，通过采用语法分析、去冗处理和加法器归并等三个步聚使结构级分解变得简便易行；在单元电路综合方面，采用基函数的线性组合来实现所需的电路行为，并详细地讨论了基函数的选择、组合系数的计算和相关的电路实现技巧。经ＳＰＩＣＥ　３ｆ４所验证过的综合结果表明，本文的方法是切实可行的。 展开更多

关键词 模拟集成电路 设计自动化 语法分析 状态方程组

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多目标多约束的集成电路统计优化策略

18

作者 杨华中 王志华 +1 位作者 刘润生 范崇治 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第1期36-39,共4页

对于集成电路设计、生产过程中的多目标、多约束统计优化问题,本文提出了“合格率足够高”的优化宗旨,并从概率论的基本原理出发,结合集成电路的特点,导出了一种合格率的近似表述方法,提出的变权重Monte Carlo法编程简便,效率高。采用... 对于集成电路设计、生产过程中的多目标、多约束统计优化问题,本文提出了“合格率足够高”的优化宗旨,并从概率论的基本原理出发,结合集成电路的特点,导出了一种合格率的近似表述方法,提出的变权重Monte Carlo法编程简便,效率高。采用这些优化策略设计的集成电路合格率优化系统取得了比较好的结果。 展开更多

关键词 集成电路 统计优化 合格率 CAD

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