异质结能带边不连续性的第一性原理计算被引量：5

导出

摘要本文根据异质结界面两侧的平均键能相互“对齐”的研究结果,以平均键能作为参考能级,采用改进计算效率的LMTO-ASA能带从头计算方法,计算了10种异质结的价带边不连续ΔE_v值,所得结果与更严格的第一性原理的界面自洽计算的结果非常一致,而且计算量比界面自洽方法要小得多,便于在中型计算机条件下推广应用.

作者王仁智黄美纯

机构地区厦门大学物理系

出处《中国科学（A辑）》 CSCD 1992年第10期1073-1078,共6页 Science in China(Series A)

基金国家和福建省自然科学基金

关键词半导体导质结价带边不连续

分类号 O471.5 [理学—半导体物理]

引文网络
相关文献

参考文献4

1王仁智,黄美纯,柯三黄.异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用[J].厦门大学学报（自然科学版）,1991,30(5):470-474. 被引量：1
2王仁智,黄美纯.LMTO能带计算中空原子球和原子空d态的作用[J].计算物理,1990,7(1):85-90. 被引量：10
3王仁智,黄美纯.GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究[J].物理学报,1990,39(2):282-288. 被引量：2
4王仁智,黄美纯.四面体键半导体合金LMTO能带的相干势近似计算[J]物理学报,1988(10).

二级参考文献7

1王仁智，厦门大学学报，1987年，26卷，166页
2黄美纯，厦门大学学报，1986年，25卷，270页
3王仁智，半导体学报，1988年，9卷，352页
4黄美纯，厦门大学学报，1987年，26期，166页
5王仁智,黄美纯.LMTO能带计算中空原子球和原子空d态的作用[J].计算物理,1990,7(1):85-90. 被引量：10
6王仁智,黄美纯.GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究[J].物理学报,1990,39(2):282-288. 被引量：2
7王仁智,黄美纯.异质结价带边不连续△E_v的理论计算[J].物理学报,1991,40(10):1683-1688. 被引量：8

共引文献9

1王仁智,黄美纯,郑永梅.(AlAs)_3(GeGe)_3(001)超晶格体内的自建电场[J].厦门大学学报（自然科学版）,1993,32(3):290-294.
2王仁智,陈传鸿.Beta相氮化硅的电子结构[J].固体电子学研究与进展,1994,14(3):221-227. 被引量：1
3何国敏,郑永梅,王仁智.AlN／GaN异质结的价带偏移计算[J].厦门大学学报（自然科学版）,1996,35(3):354-359.
4何国敏,郑永梅,王仁智.闪锌矿和纤锌矿结构GaN静态性质计算[J].厦门大学学报（自然科学版）,1996,35(1):137-139.
5王仁智,郑永梅.Al_xGa_（1－x）As／GaAs价带偏移的理论计算[J].Journal of Semiconductors,1996,17(3):161-165.
6何国敏,郑永梅,王仁智.GaN静态性质的LMTO第一原理计算[J].量子电子学,1996,13(6):538-541.
7郑永梅.晶格失配对C／BN异质结价带偏移的影响[J].Journal of Semiconductors,1996,17(12):881-885.
8何国敏,郑永梅,王仁智.AIN、GaN立方晶体的静态性质和AIN/GaN异质结的价带偏移[J].固体电子学研究与进展,1997,17(1):30-35. 被引量：1
9王仁智,黄美纯,柯三黄.异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用[J].厦门大学学报（自然科学版）,1991,30(5):470-474. 被引量：1

同被引文献13

1郑永梅,王仁智,蔡淑惠,何国敏,李书平.自由电子能带模型中的平均键能与费米能级[J].半导体光电,1999,20(2):101-103. 被引量：1
2柯三黄,王仁智,黄美纯.应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究[J].物理学报,1994,43(1):103-109. 被引量：2
3郑永梅,王仁智,何国敏.经验赝势法在GaAs／Ge，AlAs／GaAs和AlAs／Ge异质结能带排列理论计算中的应用[J].物理学报,1996,45(9):1536-1542. 被引量：1
4Ke S H，Phys Rev B，1994年，49卷，15期，10495页
5王仁智，中国科学.A，1992年，10期，1072页
6Tercoff J.Schottky barrier heights and the continuum of Ga Pstates. Physical Review Letters . 1984
7Cardona M,Christensen N E.Acoustic deformation potentials and heterostructure band offsets in semiconductors. Physical Review . 1987
8Harrison W A,Tercoff J.Tight- binding theory of heterojunction band lineups and interface dipoles. J. Vac . Sci. Tech nol . 1986
9Ke S H,Wang R Z,Huang M C.Valence - band offsets andtailoring in compound strained - layer superlatices. Physical Review . 1994
10Wang R Z,Ke S H,Huang M C.Valence - band offsetsat Alx Ga1 - x As : Application of average - band - eneragytheory in conjunction with the cluster expansion method. Physical Review . 1995

引证文献5

1郑永梅,王仁智,蔡淑惠,何国敏,李书平.自由电子能带模型中的平均键能与费米能级[J].半导体光电,1999,20(2):101-103. 被引量：1
2郑金成,郑永梅,王仁智.合金异质结的价带带阶的计算方法[J].自然杂志,1996,18(5):306-306. 被引量：1
3李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠.半导体形变势及其应变层异质结带阶[J].厦门大学学报（自然科学版）,1999,38(5):670-675.
4王仁智,郑永梅,李书平.平均键能E_m的物理内涵探讨[J].物理学报,2001,50(2):273-277. 被引量：2
5李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠,何国敏.自由电子能带中的平均键能与费米能级[J].固体电子学研究与进展,2002,22(1):1-4.

二级引证文献4

1李书平,王仁智.金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能[J].Journal of Semiconductors,2006,27(5):834-839.
2郑金成,帅建伟,陈振湘,刘瑞堂,吴伯僖.应用信噪比理论分析三维转动角神经网络模型的存储容量[J].自然杂志,1996,18(1):53-53.
3李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠,何国敏.自由电子能带中的平均键能与费米能级[J].固体电子学研究与进展,2002,22(1):1-4.
4李书平,王仁智,蔡淑惠.金属-半导体接触势垒高度的理论计算[J].固体电子学研究与进展,2003,23(4):412-415. 被引量：3

1王仁智,黄美纯.异质结价带边不连续△E_v的理论计算[J].物理学报,1991,40(10):1683-1688. 被引量：8
2柯三黄,王仁智,黄美纯.应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究[J].物理学报,1994,43(1):103-109. 被引量：2
3柯三黄,王仁智,黄美纯.应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性[J].物理学报,1993,42(9):1510-1514.
4王仁智,柯三黄,黄美纯.不同晶向、厚度的超晶格界面的平均键能行为[J].物理学报,1994,43(12):2023-2030. 被引量：1
5郑永梅,王仁智,何国敏.经验赝势法在GaAs／Ge，AlAs／GaAs和AlAs／Ge异质结能带排列理论计算中的应用[J].物理学报,1996,45(9):1536-1542. 被引量：1
6柯三黄,王仁智,黄美纯.应变层超晶格(InAs)_n(InP)_n(001)电子结构的LMTO计算[J].物理学报,1993,42(10):1635-1641.
7半导体光学材料及制备[J].中国光学,1994(4):97-98.

中国科学（A辑）

1992年第10期

浏览历史

内容加载中请稍等...

异质结能带边不连续性的第一性原理计算被引量：5

参考文献4

二级参考文献7

共引文献9

同被引文献13

引证文献5

二级引证文献4

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

异质结能带边不连续性的第一性原理计算 被引量：5

参考文献4

二级参考文献7

共引文献9

同被引文献13

引证文献5

二级引证文献4

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

异质结能带边不连续性的第一性原理计算被引量：5