半导体光学材料及制备

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摘要 O471.5 94043026应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究=Theoretical studies on the valence- band offsets at strained semiconductor superlattices[刊,中]/柯三黄,王仁智,黄美纯(厦门大学物理系)∥物理学报.—1994,43(1).—103～109对不同应变状态下的超晶格(GaP),(GaAs),(001),(InP),(InAs),(001)(n=1.3)的电子结构进行了自洽计算。

出处《中国光学》 EI CAS 1994年第4期97-98,共2页 Chinese Optics

关键词半导体超晶格电子结构物理学报冻结势转换效率光学材料计算方法分析能带布氏角

分类号 O471.5 [理学—半导体物理]

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