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SOI材料和器件及其应用的新进展 被引量：8

New progress in SOI material and devices and their applications
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摘要 综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。 New progress relating to new structure of SOI including differential insulator layer and top semiconductor layer is described. The new structure devices of SOI and the application of SOI devices in irradiation area are reviewed. The new progress on R&D of SOI technology in our country is reported in detail. Meanwhile, the new progress of industrialized SOI material is introduced.
作者 林成鲁 张正选 刘卫丽
机构地区 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期658-663,共6页 Nuclear Techniques
关键词 绝缘层上的硅(SOI) 辐射 SOI产业化 Silicon-on-insulator(SOI), Irradiation, Industrialized SOI material
分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献12

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引证文献8

二级引证文献18

核技术
2003年 第9期

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