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半导体器件及集成电路抗辐射研究进展 被引量:4

Progress ia the Study on Radiation-Hardened Semiconductor Devices and IC's
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摘要 本文主要介绍半导体器件及集成电路在各种辐射环境下的损伤失效模式,分析其失效物理机理,提出相应对策,以提高器件及电路的抗辐射能力。 The failure modes of semiconductor devices and IC's which were caused by damage in the radiation environments are presented. Their failure mechanisms are also analyzed. Effective measures are adopted to improve the radiation-resistant capacity of the semiconductor devices and IC's.
作者 王长河
出处 《半导体情报》 1990年第5期1-8,18,共9页 Semiconductor Information
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参考文献1

同被引文献11

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引证文献4

二级引证文献46

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