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在Si基底上真空蒸发沉积Ag-MgF_2复合薄膜的内应力研究 被引量：2

Investigation on residual stress in Ag-MgF_2 composite films prepared by vacuum deposition
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摘要 　报道了用电子薄膜应力分布测试仪测量了不同温度、不同厚度的Ag MgF2复合薄膜的内应力变化情况,得到了基底温度(退火温度)在300～400℃范围内薄膜平均应力最小,且处于张应力向压应力转变区域。XRD分析表明,在Ag MgF2复合薄膜中Ag对复合薄膜内应力的影响大于MgF2。 This paper has investigated the effect of substrate temperature and anealing temperature and films thickness on the residual stress of AgMgF2 composite films prepared by vapor deposition. The results show that the average stress was the least and the residual stress of the films transformed into compressive stress from tensile stress between 300℃ and 400℃. Xray diffraction (XRD) technique shows that the effect of Ag on the residual stress of AgMgF2 composite films appears to be greater than MgF2.
作者 李爱侠 孙大明 孙兆奇 宋学萍 赵宗彦 刘艳美
机构地区 安徽大学物理系
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期461-463,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金资助项目(59972001) 安徽省自然科学基金资助项目(01044901) 安徽省教育厅科研基金资助项目(99JL0024)
关键词 真空蒸发沉积 Ag-MgF2复合薄膜 内应力 微结构 制备 Ag-MgF_2 composite film stress microstructure
分类号 O484 [理学—固体物理] TB33 [一般工业技术—材料科学与工程]
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献13

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引证文献2

二级引证文献35

功能材料
2003年 第4期

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