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多晶硅薄膜应力特性研究
被引量：
25
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摘要
本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，减小其内应力，并可使其转变成为本征张应力，以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求．
作者
张国炳
郝一龙
田大宇
刘诗美
王铁松
武国英
机构地区
北京大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期463-467,共5页
半导体学报（英文版）
关键词
多晶硅薄膜
VLSI
LPCVD
制备
应力特性
分类号
TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN204 [电子电信—物理电子学]
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Journal of Semiconductors
1999年 第6期
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