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H^+-ISFET失效分析与工艺改进

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摘要作者以提高H^+-ISFET可靠性为目的,对它的失效现象进行了探讨,并提出了防止这种失效现象的方法.1 H^+-ISFET输出特性劣化现象本实验所分析的H^+-ISFET均为n沟道耗尽型,其结构剖面及封装如图1所示.

作者王东红虞惇武世香

机构地区哈尔滨工业大学

出处《传感技术学报》 CAS CSCD 1992年第2期31-34,共4页 Chinese Journal of Sensors and Actuators

基金国家自然科学基金资助项目

关键词 H^+-ISFET 失效分析工艺

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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传感技术学报

1992年第2期

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