P—Si3N4薄膜用于H^＋—ISFET的研究
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3齐呜,罗晋生,崔吾元,黄强.热氮化SiO_2绝缘栅H^+-ISFET及其pH响应机理的探讨[J].半导体技术,1989,5(1):39-43. 被引量：1
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4钟雨乐,刘涛,李京娜.PECVD法淀积SiN_xH_y工艺在H^+-ISFET上应用的探讨[J].半导体技术,1992,8(6):49-53. 被引量：2
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6赵伟明,张志林.采用Si3N4作为绝缘层的ZnS：Mn交流薄膜电致发光器件[J].薄膜科学与技术,1993,6(3):203-209. 被引量：2
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7潘伟.LPCVD制备Si_3N_4薄膜工艺研究[J].电子制作,2013,21(2X):195-195. 被引量：1
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8陈德英,周天舒,唐国洪.一种新型背面接触式H^+-ISFET[J].传感器技术,1992(4):12-15.
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9吴大兴,周海,杨川,高国庆.Si_3N_4薄膜的DC-PCVD沉积工艺及结构[J].真空,1992,29(3):15-21. 被引量：2
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10刘宝峰,李洪峰,金立国.半导体器件钝化层Si_3N_4薄膜的制备及特性研究[J].哈尔滨理工大学学报,2003,8(6):105-108. 被引量：6
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