热氮化SiO_2绝缘栅H^+-ISFET及其pH响应机理的探讨被引量：1

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摘要本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H^+-ISFET,其在pH值为2～13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6～47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表面基模型分析了H^+-ISFET的工作机理,较为合理地解释了以SiO_2、Si_3N_4或氮化SiO_2为介质膜的H^+-ISFET的响应特性.

作者齐呜罗晋生崔吾元黄强

机构地区西安交通大学电子工程系渭南师范专科学校化学系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期39-43,共5页 Semiconductor Technology

关键词 H^+-ISFET PH响应 SIO2 绝缘栅

分类号 TN386.01 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

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