氮气氛下直拉硅单晶的杂质控制被引量：1

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摘要通过改变埚转、氮气流量及多晶熔化时间等拉晶参数,便能简单而有效地控制其氧碳氮杂质,并在实际生产中运用获得成功。

作者杨德仁李立本林玉瓶姚鸿年阙端麟

机构地区浙江大学半导体材料研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期58-61,共4页 Semiconductor Technology

关键词氮气流量硅单晶控制杂质控制

分类号 TN304.053 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

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