硅材料中氮的性质和研究被引量：2

下载PDF

导出

摘要氮在硅材料中的应用日渐广泛,影响也日渐重要,本文在论述晶体硅中氮的基本性质的同时,综述了近年来氮在硅中的存在形态,氮对硅机械强度的影响以及和氧原子的互相作用等方面的研究成果,并指出了研究中仍然存在的一些问题。

作者杨德仁

机构地区浙江大学半导体材料研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期47-50,64,共5页 Semiconductor Technology

关键词硅材料氮晶体硅机械强度半导体

同被引文献14

1阙端麟.单晶硅中氮杂质研究进展[J].人工晶体学报,2000,29(S1). 被引量：2
2杨德仁,阙端麟.高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质[J].Journal of Semiconductors,1996,17(1):71-75. 被引量：4
3李勇,钟尧,席珍强,杨德仁,阙端麟.太阳电池用掺氮直拉单晶硅中氧沉淀行为的研究[J].材料科学与工程学报,2006,24(5):676-678. 被引量：3
4阙端麟,李立本,林玉瓶.直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛[P]中国专利:CN85100295.
5毛文行,邓太平,杜国平,周浪.太阳能多晶硅锭中硬质夹杂及其形成[J].南昌大学学报（理科版）,2008,32(1):34-37. 被引量：9
6邓太平,毛文行,尹传强,刘兵发,杜国平,周浪.太阳能多晶硅锭中夹杂的物相与分布特性[J].材料科学与工程学报,2008,26(3):449-452. 被引量：14
7申少华,胡波,秦先志.直拉硅单晶炉热系统的改造对氧、碳含量的影响[J].湖南科技大学学报（自然科学版）,2009,24(3):103-107. 被引量：2
8何友琴,马农农,王东雪.硅中氮的二次离子质谱(SIMS)定量分析[J].现代仪器,2011,17(3):52-53. 被引量：8
9曾世铭,王大平,张鲁.φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺[J].稀有金属,1990,14(2):120-124. 被引量：1
10税琼,樊瑞新,杨德仁,阙端麟.硅中氧氮扩散研究进展[J].半导体技术,1999,24(6):1-6. 被引量：5

1王浩,陆金桂,邹积岩.薄膜机械强度测试方法[J].微细加工技术,1993(2):72-76.
2李立本,张锦心,陈修治,阙端麟.采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究[J].浙江大学学报（自然科学版）,1990,24(3):339-344. 被引量：2
3张之翔,李英琴.氮化硅中氮的测定[J].稀有金属材料与工程,1990,19(6):69-71.
4友清.90年代氮激光泵浦染料激光器的应用展望[J].国外激光,1992(1):22-23.
5梁永林.湿氮退火改善晶体管表面特性[J].江南半导体通讯,1992,20(5):23-27.
6李刚,汪雷,袁骏,王战.激光辐照区表面氮的研究[J].半导体技术,1991,7(6):53-56.
7梁永林.湿氮退火改善晶体管表面特性——提高小电流下β[J].半导体技术,1993,9(4):35-38.
8义仡.用一种新氮源制造GaN薄膜[J].电子材料快报,1996(1):10-10.
9紫外光照射下光纤机械强度的降低[J].光纤通信技术,1997(4):26-27.
10陈兰英,崔季秀,陈泽兴,钱红斌,苏宝嫆,吴惠元,俞绳祖,栾柏荣,马玉龙.碳-氮共渗层激光非晶态的研究[J].中国激光,1992,19(4):316-320. 被引量：5

半导体技术

1990年第4期

内容加载中请稍等...