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等离子体源增强磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜研究 被引量:9

Al_2O_3 Films Deposited by Plasma Source Enhanced Magnetron Sputtering
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摘要 采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜.X射线光电子谱和X射线衍射分析表明,在600℃沉积温度下,Si(100)基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ-Al2O3薄膜.薄膜的折射率为1.7,与稳定的α-Al2O3体材料相当. The aluminium oxide films were deposited on Si(100) substrate by plasma source enhanced magnetron sputtering by using an electron cyclotron resonance (ECR) microwave plasma source and a direct current magnetron sputtering target. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and glancing angle X-ray diffraction patterns show that the metastable stoichiometric gamma-Al2O3 films can be obtained at a higher deposition temperature of 600degreesC. The refractive index of the films is 1.7, corresponding with that of stable alpha-Al2O3.
出处 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期887-890,共4页 Journal of Inorganic Materials
基金 国家自然科学基金(69889701) 教育部科学技术研究重点项目
关键词 等离子体源 磁控溅射沉积 AL2O3薄膜 氧化铝薄膜 折射率 结构 光学性能 aluminium oxide film plasma source magnetron sputtering refractive index
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献7

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共引文献2

同被引文献95

引证文献9

二级引证文献47

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