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绝缘栅双极晶体管基础被引量：1

The Foundation of Insulation Grid Bipolar Transistor

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摘要 IGBT结构及工作原理 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BV为oss需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有Ros(on)数值高的特征。

作者 Mario Aleo

机构地区 ST公司

出处《世界电子元器件》 2002年第6期34-35,共2页 Global Electronics China

关键词 IGBT硅片阻断工作频率电子流绝缘栅双极晶体管

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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世界电子元器件

2002年第6期

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