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大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能 被引量:7

Preparation and Properties of Large-size Pseudoternary Semiconductive Cooling Material
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摘要 采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为 2 7mm的大尺寸P和N型Bi2 Te3 Sb2 Te3 Sb2 Se3 赝三元取向晶锭。并测试了其温差电性质 。 The P-type and N-type pseudoternary oriented crystal ingots of large size of 27mm in diameter were prepared by a vertical zone-melting method.This material is very useful and its figure of merit is high.We have tested thermoelectric property of the material and analysed the effect of the preparative parameter.
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期144-147,共4页 Journal of Synthetic Crystals
关键词 大尺寸赝三元半导体致冷材料 制备 性能 垂直区熔法 Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3 大尺寸晶锭 vertical zone-melting method Bi 2Te 3-Sb 2Te 3-Sb 2Se 3 large-size crystal ingot
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