摘要
利用半导体 PN结器件一维模拟程序 m PND1 D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量 ,并对结果作了初步分析。
By means of the program mPND1D (one dimensional modeling for PN junction devices), the diode failure and burnout energy absorbed have been calculated for different EMP pulsed voltage sources, and the results are analyzed preliminarily.
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期215-218,共4页
High Power Laser and Particle Beams
基金
国家 8 63激光技术领域
湖南省高校科研青年项目资助课题
