期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
中国分子束外延技术的发展
被引量:
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
导出
摘要
本文评述了我国自70年代中期开始分子束外延(MBE)研究以来的MBE设备、材料及器件应用的发展和现状。
作者
孔梅影
机构地区
中国科学院半导体所
出处
《半导体情报》
1991年第6期2-4,共3页
Semiconductor Information
关键词
分子束外延
MBE
量子阱
异质结
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
15
引证文献
2
二级引证文献
6
同被引文献
15
1
田钢,王杰.
浅谈如何正确选择和使用红外测温仪[J]
.仪器仪表标准化与计量,2013(2):47-48.
被引量:4
2
周均铭.
分子束外延技术及其进展[J]
.真空科学与技术学报,1991,22(5):281-293.
被引量:1
3
杨左宸.
分子束外延技术[J]
.长春师范学院学报,1995,0(6):23-24.
被引量:3
4
陈浩,邓忠华,余红梅.
热电偶测温系统原理及应用[J]
.制造业自动化,2004,26(9):68-71.
被引量:50
5
陈鹏飞,胡运彪.
提高红外测温仪的测量准确度[J]
.石油化工应用,2006,25(2):45-47.
被引量:11
6
刘超,包兴明.
世界主要MBE设备制造商及产品简介[J]
.中国材料科技与设备,2009,6(5):14-17.
被引量:2
7
张红.
热电偶测温系统误差剖析及处理对策[J]
.安徽工程科技学院学报(自然科学版),2010,25(2):63-66.
被引量:16
8
周均铭,黄绮.
分子束外延材料从基础研究到产业化[J]
.物理,2000,29(8):451-456.
被引量:2
9
周淑琴,刘云圻,邱文丰,朱道本.
有机分子束外延技术与研究进展[J]
.物理学进展,2000,20(4):395-406.
被引量:3
10
红外测温仪的优缺点及使用注意事项[J]
.仪器仪表用户,2014,21(2):23-23.
被引量:2
引证文献
2
1
马智锟.
基于SPECS生产的分子束外延设备样品加热平台的改进[J]
.分析测试技术与仪器,2021,27(2):100-104.
2
周均铭.
中国分子束外延技术发展历程[J]
.物理,2021,50(12):843-848.
被引量:6
二级引证文献
6
1
赵军一,刘润泽,楼逸扬,霍永恒.
确定性固态量子光源基础材料与器件[J]
.人工晶体学报,2023,52(6):960-981.
2
龚欣,陈峰武,吕文利,陈丹,周亮,龚肖.
高性能分子束外延用束源炉的研制[J]
.电子工业专用设备,2023,52(4):35-37.
被引量:1
3
陈峰武,吕文利,龚欣,薛勇,巩小亮.
分子束外延设备国内外进展及展望[J]
.人工晶体学报,2024,53(9):1494-1503.
被引量:5
4
丁扬,何涛,杜向阳,ALEXEY Vereschaka,李健,陈康.
超晶格涂层的制备、结构及性能研究进展[J]
.塑性工程学报,2025,32(3):23-32.
5
陈冬冬,郭维,张朱锋,谢斌平,高汉超.
高加速寿命试验在裂解源装置可靠性测试中的应用[J]
.真空科学与技术学报,2025,45(6):436-441.
6
但少旗,钟美鹏,陈建能,田悦,贺赐龙.
蒸发裂解源的设计与仿真[J]
.建模与仿真,2023,12(2):609-616.
1
张桂成.
我国MBE,MOCVD化合物半导体的新进展[J]
.电子材料(机电部),1991(2):17-21.
2
Laura peters,Associate Editor,郭静堤.
MBE的需求不断增长[J]
.微细加工技术,1991(2):81-87.
3
庶民.
GaN材料的现状[J]
.电子材料快报,1998(4):1-2.
4
郭宝增.
分子束外延(MBE)技术的最新发展[J]
.半导体光电,1990,11(4):370-375.
5
胡天斗,许继宗,梁基本,庄蔚华.
MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光[J]
.Journal of Semiconductors,1989,10(3):222-226.
6
姜力,吴苍生,王玉田,高维宾.
MBE[(AI_xGa_(1-x)As)_l(GaAs)_m]_n/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究[J]
.Journal of Semiconductors,1989,10(2):86-92.
被引量:8
7
钟建国,谢钦熙,张恕明,乔怡敏,袁诗鑫.
Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究[J]
.Journal of Semiconductors,1990,11(9):680-687.
8
王玉田.
MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-λ)Al_xAs)_m]_n/GaAS(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量[J]
.发光学报,1989,10(1):82-96.
被引量:1
9
袁永春.
氮化物半导体的发展趋势[J]
.四川有色金属,1998(3):9-13.
被引量:1
10
武一宾,张文俊,张允清,柏亚青,崔立奇,李明杰,周章文.
MBE Al源炉升温和降温工艺探讨[J]
.半导体情报,1991,28(6):95-97.
半导体情报
1991年 第6期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部