期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
MBE Al源炉升温和降温工艺探讨
在线阅读
下载PDF
职称材料
导出
摘要
分析了在-196~660℃范围内温度及其变化速度对PBN坩埚和Al的机械性能的影响,进而分析了Al坩埚的热应力分布及变化。确定了Al坩埚的维持温度,指明了常用的升温和降温速度对Al坩埚破裂的影响并不明显。
作者
武一宾
张文俊
张允清
柏亚青
崔立奇
李明杰
周章文
机构地区
机电部第
出处
《半导体情报》
1991年第6期95-97,共3页
Semiconductor Information
关键词
分子束外延
坩埚
热应力
升温
降温
分类号
TN405.984 [电子电信—微电子学与固体电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
LG:给LCD降降温[J]
.信息系统工程,2001(10):22-22.
2
王景义,熊兴邦.
透明炉简介[J]
.微细加工技术,1992(3):75-79.
3
邓九仁.
耦合器加工工艺探讨[J]
.通信与测控,1991(4):54-57.
4
张桂成.
我国MBE,MOCVD化合物半导体的新进展[J]
.电子材料(机电部),1991(2):17-21.
5
Laura peters,Associate Editor,郭静堤.
MBE的需求不断增长[J]
.微细加工技术,1991(2):81-87.
6
孔梅影.
中国分子束外延技术的发展[J]
.半导体情报,1991,28(6):2-4.
被引量:2
7
杜磊,孙承永.
混合电路热应力分析[J]
.混合微电子技术,1993,4(3):16-24.
8
盛篪,樊永良,俞鸣人,张翔九,孙恒慧,段晓峰.
分子束外延中硅衬底热应力产生缺陷的研究[J]
.Journal of Semiconductors,1992,13(11):661-667.
9
100G稳居领先地位[J]
.中国光学,2014,7(1):177-177.
10
未休.
坩埚对LEC生长InP单晶特性的影响[J]
.电子材料快报,1998(8):17-18.
半导体情报
1991年 第6期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部