N^+和N_2^+注入硅的应变、应力和扩展电阻

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摘要由离子注入形成的SOI材料制成的超大规模集成电路具有速度快、抗辐照等优点,因此SOI材料在微电子领域中将得到广泛应用。目前,形成SOI材料的途径主要是向硅中注氮或氧,在离子注入过程中将产生大量点缺陷及复杂缺陷,这些缺陷将导致晶格应变,使晶格之间产生应力。当离子半径小于晶体中原子半径时,将导致晶格收缩;反之,将使晶格膨胀。

作者尚德颖陈桂菊丁育胜裴永伟王国权吴振声马德录

机构地区沈阳冶金机械专科学校辽宁大学

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期464-468,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词 SOI材料离子注入应变应力硅氮

分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]

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