TFT LCD技术的发展被引量：1

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摘要本文介绍了近期TFTLCD技术发展幼态，简述TFTLCD发展趋势。

作者黄锡珉

机构地区中国科学院北方液晶工程研究开发中心

出处《电子产品世界》 1999年第9期19-20,共2页 Electronic Engineering & Product World

关键词 TFT LCD 液晶显示器件引线技术

同被引文献7

1江轩,李勇军,闫琳,杨永刚,尚再艳.半导体行业用靶材及蒸发源材料[J].集成电路应用,2005,22(1):67-68. 被引量：2
2赵鑫,王星明,黄松涛,储茂友,郭奋,王赞海.溅射法镀二氧化钛薄膜靶材及工艺研究进展[J].稀有金属,2006,30(2):177-180. 被引量：12
3陈建军,杨庆山,贺丰收.溅射靶材的种类、应用、制备及发展趋势[J].湖南有色金属,2006,22(4):38-41. 被引量：27
4李慧琴,韩强,麻永林,邢淑清,江丽萍.高纯铝靶材再结晶规律的试验研究[J].轻合金加工技术,2011,39(3):49-52. 被引量：2
5赵宝华,范海波,孙院军.TFT-LCD制造用钼薄膜溅射及其靶材[J].中国钼业,2011,35(1):7-11. 被引量：18
6张俊敏,闻明,李艳琼,毕珺,管伟明.磁记录用Co-Cr-Pt合金的制备及其表征[J].贵金属,2011,32(1):29-34. 被引量：4
7安耿,李晶,刘仁智,陈强,张常乐.钼溅射靶材的应用、制备及发展[J].中国钼业,2011,35(2):45-48. 被引量：33
8高岩,王欣平,何金江,董亭义,蒋宇辉,江轩.集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究[J].半导体技术,2011,36(11):826-830. 被引量：11
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10YANG Anheng,XIE Hongchao,ZHU Yong.The Status Quo and Development Trend of High-purity Gold Sputtering Targets[J].贵金属,2012,33(A01):173-176. 被引量：1

电子产品世界

1999年第9期

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